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公开(公告)号：CN117413366A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280037917.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/78
Abstract: 半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层BL的沟槽栅极电极EGU，p型晶体管PMOS形成于基底层BL内形成的n型阱区NW内，n型晶体管NMOS形成于在基底层BL内或n型阱区内进一步形成的p型阱区内，p型晶体管PMOS的埋入沟道区域EBC的p型杂质浓度与基底层BL的p型杂质浓度相等。
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