公开(公告)号：CN116569310A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180077343.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 木本恒畅 ,  立木馨大

IPC: H01L21/31

Abstract: SiC半导体元件的制造方法包括：在富Si气氛下，在1000℃～1350℃的温度范围内用H2气体对SiC衬底(1)的表面进行蚀刻的步骤；利用化学气相沉积法在不使SiC衬底(1)氧化的温度下将SiO2膜(2)沉积在SiC衬底(1)上的步骤；以及在1150℃～1350℃的温度范围内，在NO气体气氛下对已沉积有SiO2膜(2)的SiC衬底(1)进行热处理的步骤。

公开(公告)号：CN103534792A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。

公开(公告)号：CN115668466A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180039705.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 木本恒畅 ,  小林拓真 ,  立木馨大

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: SiC半导体元件的制造方法包括：在1200℃以上的温度下使用H2气体对SiC衬底(1)的表面进行蚀刻的步骤；在不使SiC衬底氧化的条件下，将SiO2膜(3、4)形成在SiC衬底上的步骤；以及在1350℃以上的温度下，在N2气体气氛中对形成有SiO2膜的SiC衬底进行热处理的步骤。

公开(公告)号：CN103534792B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201280023671.9

申请日：2012-05-04

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 旦野克典 ,  斋藤广明 ,  关章宪 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/322 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/16

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。