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公开(公告)号：CN115668466A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180039705.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: SiC半导体元件的制造方法包括：在1200℃以上的温度下使用H2气体对SiC衬底(1)的表面进行蚀刻的步骤；在不使SiC衬底氧化的条件下，将SiO2膜(3、4)形成在SiC衬底上的步骤；以及在1350℃以上的温度下，在N2气体气氛中对形成有SiO2膜的SiC衬底进行热处理的步骤。
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