公开(公告)号：CN115087766A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080096102.1

申请日：2020-11-24

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  大西一生 ,  天野裕己 ,  藤元直树 ,  天野浩

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种能够掺杂镁的氮化镓的气相生长装置。氮化镓的气相生长装置用于在镓原料中不使用有机金属的气相生长法。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有晶片保持器，其配置在反应容器内。气相生长装置具有第一原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镓的第一原料气体。气相生长装置具有第二原料气体供给管，其向反应容器内供给包含氮且与第一原料气体反应的第二原料气体。气相生长装置具有第三原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镁的第三原料气体。第三原料气体供给管能够在供给路径上配置镁的氧化物。气相生长装置具有第一加热部，其能够在第一温度范围加热配置在第三原料气体供给管的镁的氧化物。

公开(公告)号：CN116646375A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310136430.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 佐藤寿朗 ,  上村俊也 ,  神谷真央 ,  天野浩 ,  加地彻 ,  新田州吾 ,  出来真斗 ,  田中敦之 ,  本田善央

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。

公开(公告)号：CN115087766B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202080096102.1

申请日：2020-11-24

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  大西一生 ,  天野裕己 ,  藤元直树 ,  天野浩

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种能够掺杂镁的氮化镓的气相生长装置。氮化镓的气相生长装置用于在镓原料中不使用有机金属的气相生长法。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有晶片保持器，其配置在反应容器内。气相生长装置具有第一原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镓的第一原料气体。气相生长装置具有第二原料气体供给管，其向反应容器内供给包含氮且与第一原料气体反应的第二原料气体。气相生长装置具有第三原料气体供给管，其向反应容器内供给包含镁的第三原料气体。第三原料气体供给管能够在供给路径上配置镁的氧化物。气相生长装置具有第一加热部，其能够在第一温度范围加热配置在第三原料气体供给管的镁的氧化物。

公开(公告)号：CN112714804B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201980059786.5

申请日：2019-12-19

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  藤元直树 ,  天野浩 ,  本田善央

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温度分解并且含有Mg的区域。

公开(公告)号：CN112714804A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980059786.5

申请日：2019-12-19

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 新田州吾 ,  藤元直树 ,  天野浩 ,  本田善央

IPC: C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温度分解并且含有Mg的区域。