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公开(公告)号：CN114878674B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210469682.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于融合算法的绕组应力与漏磁参量综合特征的变压器绕组缺陷诊断方法，属于变压器绕组变形在线监测领域，包括以下步骤：在变压器绕组正常和变形的情况下，测量出测点位置的轴向和辐向磁场数值以及变压器绕组的应力分布；采集故障特征并分类编码；将传感器采集到的数据信息进行分析处理；建立基于L‑M算法的优化BP神经网络的变压器绕组缺陷诊断模型；随机初始化网络参数，通过训练集对网络进行训练和调优，通过测试集对网络进行测试，通过训练好的基于L‑M算法的优化BP神经网络对后续待诊断的变压器进行故障诊断；向基于L‑M算法的优化BP神经网络中输入实测数据，实现变压器绕组缺陷实时性诊断。
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公开(公告)号：CN114722685A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210492465.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06Q10/00 , G06Q10/04 , G06Q50/06 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种在线应力传感与数值计算联合的变压器绕组短路冲击裕度预估方法，属于变压器技术领域，包括以下步骤：获取变压器运行过程中绕组实时应力分布数据；建立变压器绕组短路冲击变形三维仿真数值计算模型；根据所述实时应力分布数据对变压器三维仿真数值计算模型进行动态修正；根据所述修正后数值计算模型考虑累积效应来评估全寿命周期内绕组可承受的短路冲击次数；根据所述修正后数值计算模型确定绕组形变的载荷阈值；根据所述载荷阈值确定绕组形变临界状态的应力分布模型；根据所述绕组实时应力分布数据和绕组形变临界状态的绕组应力分布模型确定所述电力变压器的短路冲击裕度系数；建立变压器短路冲击裕度的预估模型。
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公开(公告)号：CN114878674A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210469682.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于融合算法的绕组应力与漏磁参量综合特征的变压器绕组缺陷诊断方法，属于变压器绕组变形在线监测领域，包括以下步骤：在变压器绕组正常和变形的情况下，测量出测点位置的轴向和辐向磁场数值以及变压器绕组的应力分布；采集故障特征并分类编码；将传感器采集到的数据信息进行分析处理；建立基于L‑M算法的优化BP神经网络的变压器绕组缺陷诊断模型；随机初始化网络参数，通过训练集对网络进行训练和调优，通过测试集对网络进行测试，通过训练好的基于L‑M算法的优化BP神经网络对后续待诊断的变压器进行故障诊断；向基于L‑M算法的优化BP神经网络中输入实测数据，实现变压器绕组缺陷实时性诊断。
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公开(公告)号：CN114722685B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210492465.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 国电南瑞南京控制系统有限公司 , 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种在线应力传感与数值计算联合的变压器绕组短路冲击裕度预估方法，属于变压器技术领域，包括以下步骤：获取变压器运行过程中绕组实时应力分布数据；建立变压器绕组短路冲击变形三维仿真数值计算模型；根据所述实时应力分布数据对变压器三维仿真数值计算模型进行动态修正；根据所述修正后数值计算模型考虑累积效应来评估全寿命周期内绕组可承受的短路冲击次数；根据所述修正后数值计算模型确定绕组形变的载荷阈值；根据所述载荷阈值确定绕组形变临界状态的应力分布模型；根据所述绕组实时应力分布数据和绕组形变临界状态的绕组应力分布模型确定所述电力变压器的短路冲击裕度系数；建立变压器短路冲击裕度的预估模型。
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公开(公告)号：CN120015441A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510192095.X
申请日：2025-02-21
Applicant: 重庆大学
IPC: H01B19/04
Abstract: 本发明公开了一种提升盆式绝缘子绝缘性能的改性方法及系统。涉及绝缘材料表面改性领域；方法包括：步骤1：将盆式绝缘子表面划分为多个径向等距的环形区域；步骤2：测量改性前的盆式绝缘子表面的电位、表面电导率和表面粗糙度；步骤3：基于改性前的盆式绝缘子表面的电位、表面电导率和表面粗糙度，对环形区域的高压端到接地端依次进行离子束处理，离子束处理通过改变电导率和粗糙度来优化电位分布，对盆式绝缘子表面进行改性；步骤4：对进行离子束处理后的盆式绝缘子进行闪络性能测试，验证改性后盆式绝缘子的闪络性能。本发明通过表面梯度离子束处理，从而形成结构化粗糙度表面，能有效提升盆式绝缘子沿面闪络性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115200643B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210832672.3
申请日：2022-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于磁光晶体‑光栅复合结构的光纤磁场‑温度双参数传感器系统，属于光学传感器技术领域，包括磁光晶体‑光栅复合结构传感单元、光路测量系统、磁场‑温度双参数解调系统；窄带激光光源发射出窄带激光，经过消偏器后转变成无偏振态，并经过环形器入射至磁光晶体‑光栅复合结构传感单元的感温光纤光栅进行反射、透射；反射光传递至单路光探；透射光通过准直器传输至偏振片，经过磁光晶体进入偏振分光棱镜分解成两束垂直的线偏光，通过两个准直器传递至平衡双路光探；磁场‑温度双参数解调系统进行采集管理；通过温度‑磁场双参数解调算法获取被测点的温度、磁场信息并进行磁场补偿。
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公开(公告)号：CN118731845A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410709850.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 重庆大学
Abstract: 基于声阵列信号相位差放大的低频声源定位方法及系统，步骤包括：步骤1：采集麦克风阵列的阵元坐标，计算阵元间距系数矩阵；步骤2：通过校正高维Miles模型耦合系数来校正声阵列信号相位差放大系数；步骤3：计算全连接耦合下改进的高维Miles模型的耦合放大矩阵；步骤4：计算耦合放大的低频声阵列接收信号矩阵和耦合放大的低频声阵列接收信号的协方差矩阵；步骤5：计算耦合放大的阵列导向矢量矩阵和去模的阵列导向矢量矩阵；步骤6：基于步骤4计算的耦合放大的低频声阵列接收信号的协方差矩阵和步骤5计算的去模的阵列导向矢量矩阵进行空间谱估计，得到低频声源位置。本发明可提升声阵列信号相位差放大系数一致性，提高低频声源分辨力和定位精度。
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公开(公告)号：CN117747197A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311375194.9
申请日：2023-10-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于空间环境的超导电缆，包括：由内而外设置为中空的铜支撑管、铜支撑管内部中空的部分为液态工质流通通道、液态工质流通通道被分隔板分为两部分、螺旋堆叠缠绕在铜支撑管上的超导导体、绝缘层、用于正常工况下维持超导导体所需低温环境的铜导冷带、用于反射太阳辐射和保护超导电缆的外壳以及用于连接铜导冷带和外壳的支撑隔板。本发明的有益效果为：能够利用超导电缆，实现空间太阳能电站的零自损大功率电力传输，降低能量损耗，减小空间辐射板面积，节省成本，为未来空间电力输电提供可靠且高效的运行条件。
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公开(公告)号：CN116337782B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310180891.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 山东泰开变压器有限公司 , 奥谱天成(厦门)光电有限公司
Abstract: 本发明涉及一种绝缘油中溶解气体和局部放电同时检测方法及系统，属于电力设备领域。该方法步骤为：将绝缘油中的溶解气体通过油气分离膜自由扩散至F‑P光纤干涉腔内；将泵浦光和探测光通过频分复用器耦合进入F‑P光纤干涉腔内；溶解气体经泵浦光激发产生的光声效应以及局部放电产生的超声波使油气分离膜振动；探测光探测油气分离膜的振动，经油气分离膜反射的探测光与入射探测光形成干涉信号，通过光电探测器接收该干涉信号；处理分析干涉信号得到绝缘油中的溶解气体以及局部放电信息。本发明通过光纤光声光谱技术同时检测绝缘油中特征气体和局部放电的相关信息，实现变压器设备状态多参量一体化准确评估。
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公开(公告)号：CN110455775B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910860645.5
申请日：2019-09-11
Applicant: 重庆大学 , 国网山东省电力公司德州供电公司
IPC: G01N21/65 , B81C1/00 , B23K26/362
Abstract: 一种用于表面增强拉曼光谱检测的超疏水表面增强基底，其表面包括微纳米粗糙结构，是通过激光雕刻技术和化学合成工艺对疏水表面材料进行处理而制成的。疏水表面材料是由聚四氟乙烯制成的基板，表面具有通过激光雕刻形成的凹陷于基板表面的呈圆柱阵列的微纳米粗糙结构，圆柱阵列中圆柱的直径为3‑6mm。进行激光雕刻以形成圆柱阵列的微纳米粗糙结构时，激光雕刻机的参数是：雕刻速度为25‑50mm/s，光速直径为0.05‑0.3mm，频率为10‑1000kHz，雕刻功率比为10‑60％，雕刻次数1‑6次。超疏水表面增强基底中的疏水表面接触角为150°±10°，是表面(56)对比文件F. De Angelis等.Breaking thediffusion limit with super-hydrophobicdelivery of molecules to plasmonicnanofocusing SERS structures.NaturePhotonics.2011,第5卷第682-687页.
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