公开(公告)号：CN100336203C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN01819731.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： U·格伦林 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  J·曼德曼 ,  T·鲁普

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10864 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明涉及埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门。一种产生极高密度埋入式DRAM/极高性能逻辑结构的工艺，包括制造具有自我对准硅化的源极/漏极的垂直MOSFET DRAM单元以及支撑中的栅极导体双工作功能MOSFETs。

公开(公告)号：CN1639860A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN01819731.0

申请日：2001-11-28

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： U·格伦林 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  J·曼德曼 ,  T·鲁普

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10864 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明涉及埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门。一种产生极高密度埋入式DRAM/极高性能逻辑结构的工艺，包括制造具有自我对准硅化的源极/漏极的垂直MOSFET DRAM单元以及支撑中的栅极导体双工作功能MOSFETs。