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公开(公告)号：CN1263347A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：CN00102321.7
申请日：2000-02-12
Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 , 国际商业机器公司
IPC: G11C7/00
CPC classification number: G11C7/1039
Abstract: 根据本发明的一种半导体存储器包括一个数据路径,该数据路径包括多个分层级,每级包括与其他级不同的位数据率。在级之间设置至少两个预取电路。该至少两个预取电路包括至少两个锁存器,锁存器用于接收数据位并存储数据位直到分层中的下一级能够接收数据位为止。该至少两个预取电路连接在级之间以便级之间的每级的总数据率基本相同。控制信号控制至少两个锁存器以便预取电路保持级之间的总数据率。
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公开(公告)号：CN1279541C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN00102321.7
申请日：2000-02-12
Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 , 国际商业机器公司
IPC: G11C7/00
CPC classification number: G11C7/1039
Abstract: 根据本发明的一种半导体存储器包括一个数据路径，该数据路径包括多个分层级，每级包括与其他级不同的位数据率。在级之间设置至少两个预取电路。该至少两个预取电路包括至少两个锁存器，锁存器用于接收数据位并存储数据位直到分层中的下一级能够接收数据位为止。该至少两个预取电路连接在级之间以便级之间的每级的总数据率基本相同。控制信号控制至少两个锁存器以便预取电路保持级之间的总数据率。
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公开(公告)号：CN102341863B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080010880.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C15/04
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 一种内容可寻址存储器器件，具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线，第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态，以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
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公开(公告)号：CN102341863A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010880.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C15/04
CPC classification number: G11C15/046 , G11C13/0004
Abstract: 一种内容可寻址存储器器件，具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线，第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态，以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
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