公开(公告)号：CN1296997C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01821652.8

申请日：2001-11-14

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： H·-J·巴斯

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 一种集成电路结构，其改进系包含一线接合铜垫铜线组件，其中该铜垫铜线组件特征为自行钝化、低电阻、高接合力以及改进的抗氧化与腐蚀，该铜垫铜线组件系包含一金属化线路，一衬垫，系分开该金属化线路与围绕一铜垫的一铜合金，一介电层，系围绕该衬垫，以及一铜垫，系与一铜合金线接合，该铜线组件其特征为自行钝化区域系位于一掺杂丰富接口，其中该掺杂丰富接口系位于该铜合金与该衬垫之间、该铜垫的一表面、在该铜垫与该铜合金线间之一接合的一表面、及该铜合金线的一表面。

公开(公告)号：CN1484857A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821652.8

申请日：2001-11-14

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司

Inventor： H·-J·巴斯

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 一种集成电路结构，其改进系包含一线接合铜垫铜线组件，其中该铜垫铜线组件特征为自行钝化、低电阻、高接合力以及改进的抗氧化与腐蚀，该铜垫铜线组件系包含一金属化线路，一衬垫，系分开该金属化线路与围绕一铜垫的一铜合金，一介电层，系围绕该衬垫，以及一铜垫，系与一铜合金线接合，该铜线组件其特征为自行钝化区域系位于一掺杂丰富接口，其中该掺杂丰富接口系位于该铜合金与该衬垫之间、该铜垫的一表面、在该铜垫与该铜合金线间之一接合的一表面、及该铜合金线的一表面。