-
公开(公告)号：CN119789623A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411969264.8
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/01 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在待刻蚀基体形成刻蚀槽，使待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；其中化学腐蚀与物理轰击共同作用；损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件。其中化学腐蚀起主导作用。本发明可以解决干法刻蚀氮化镓器件会对产品结构侧壁造成损伤，加重侧壁缺陷，导致非辐射复合几率变大的问题。
-
公开(公告)号：CN119680943A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411803462.7
申请日：2024-12-09
Applicant: 嘉庚创新实验室
Abstract: 本发明提供了一种聚2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸在去除高镍NCM三元材料表面残锂中的应用，涉及高镍NCM三元材料表面处理技术领域。本发明针对现有采用高温煅烧或高浓度乙醇浸泡清洗去除NCM材料表面碳酸锂的方法所存在的对高镍NCM三元材料的结构和性能产生不利影响的问题，提出了使用聚2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸作为主要成分的清洗剂对高镍NCM三元材料的残锂进行清洗，经验证能够有效避免现有高温煅烧和高浓度乙醇浸泡清洗处理对高镍NCM三元材料的破坏，同时显著提升了高镍NCM三元材料的电化学性能。
-
公开(公告)号：CN115249725B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
IPC: H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/49 , H10H20/816
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
-
公开(公告)号：CN119421622A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411535317.5
申请日：2024-10-30
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开了梯度带隙光电二极管探测器及其制备方法、重构光谱仪。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成导电层；在衬底上形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上形成初始半导体光敏层；将衬底沿第一预设方向浸入到反应溶液中；从反应溶液中提拉出衬底，形成梯度带隙半导体光敏层；在梯度带隙半导体光敏层上形成第二载流子传输层；在第二载流子传输层上形成阵列排布的多个第一电极结构，在衬底上形成与导电层连接的第二电极结构。本发明的梯度带隙半导体光敏层与阵列的第一电极结构构成了光电二极管阵列光电探测器阵列，具有不同的光谱响应和宽动态响应范围，提高光谱重构算法线性求解准确性和光谱分辨率。
-
公开(公告)号：CN118919624A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977433.6
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118073497A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410396770.6
申请日：2024-04-02
Abstract: 本发明提供一种Mi cro‑LED芯片及其制备方法。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本发明提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
-
公开(公告)号：CN117276436A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222695.3
申请日：2023-09-20
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层，阵列排布于多孔GaN区域上。本发明提供的LED芯片可以在多孔GaN区域上得到有更多In含量(超过20％)的N型InGaN六棱锥层阵列，进而得到高In含量的InGaN量子阱层，使InGaN量子阱层中In含量在25～35％，从而实现良好的红光LED。
-
公开(公告)号：CN119153602A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411259249.4
申请日：2024-09-09
Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括：衬底层；第一半导体层，位于衬底层表面，第一半导体层包括平面部分和凸起部分，凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面；有源层，位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面；第二半导体层，位于有源层背向第一半导体层一侧的表面，第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反；第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层；钝化层，位于第二半导体层背向有源层一侧的表面，且包覆外延层的侧部；侧部电极，位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压，同时提高注入电流，提高器件发光亮度。
-
公开(公告)号：CN118763286A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411045156.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 嘉庚创新实验室
IPC: H01M10/0569 , H01M10/0567 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种电解液以及包含其的锂离子电池，涉及锂电池技术领域。所述电解液包括电解质盐、有机溶剂和稀释剂，其中：所述有机溶剂为包含氟化环状碳酸酯和氟化羧酸酯的氟化溶剂。本发明电解液利用包含氟化环状碳酸酯和氟化羧酸酯的氟化溶剂溶解电解质盐，通过氟原子的强吸电子性，提高了电解液阳极稳定性能；同时，氟化溶剂氧化分解后可产生富含LiF的界面层，可以增强界面层的机械性能，使锂金属电池具备耐高压性能。此外，本发明利用氟原子的强吸电子性，对环状碳酸酯和羧酸酯溶剂分子进行氟化修饰，实现了对锂离子溶剂化结构进行调控，进而也促进了锂离子在电解液体相和界面层的传输，使得锂电池具备快充性能。
-
公开(公告)号：CN116642863A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310359980.3
申请日：2023-04-06
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种实时原位的荧光成像显微镜测试系统及方法，该系统包括：测试电源模块、激发光模块、接收光路模块、信号探测模块以及微控制器，通过各个模块的配合，能够在不损害待测样品的条件下，原位、实时观测待测样品中的多物理场调控下，缺陷迁移以及相关的宏观光电性能数据，与其他离子迁移测试系统相比，该荧光成像显微镜测试系统操作更加简便，能以高分辨率快速捕获宽视场中的荧光成像图像，测试结果更加准确形象，能够原位、实时地获得多物理场调控下的离子迁移图像以及相关光电测试数据，通过微观图像与宏观数据相结合，更加全面地对器件的性能衰退过程和离子迁移进行分析。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.033 seconds)
