公开(公告)号：CN117326872A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311268921.1

申请日：2023-09-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张坤 ,  陈永涛 ,  周新伟 ,  成夙 ,  严实

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y70/10 ,  B28C1/00 ,  B28C5/00 ,  B28B1/02 ,  B28B17/00 ,  B28B17/04

Abstract: 本发明公开了一种能够在3D打印过程中实现打印、清粉、取件三工位同时进行的3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺。该3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺包括步骤S1、选取SiC粉体以及粘接剂；S2、制备复合粉体；S3、打印SiC陶瓷初坯；S4、采用真空脱脂和PIP浸渍裂解工艺对SiC陶瓷初坯进行致密化处理。并且在步骤S3中采用3D打印激光烧结系统。采用该3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺能够实现碳化硅陶瓷基复合材料的快速制备；制备碳化硅陶瓷基复合材料制备效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN116444275A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310456982.4

申请日：2023-04-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张坤 ,  翁凌 ,  郭颖 ,  成夙 ,  陈永涛

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域，尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀，得到复合粉体，其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物；(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印，得到SiC陶瓷初坯；(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理，得到SiC多孔陶瓷；(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化，得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法，成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN116444275B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202310456982.4

申请日：2023-04-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张坤 ,  翁凌 ,  郭颖 ,  成夙 ,  陈永涛

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域，尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀，得到复合粉体，其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物；(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印，得到SiC陶瓷初坯；(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理，得到SiC多孔陶瓷；(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化，得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法，成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。