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公开(公告)号：CN107681051A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710830340.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L51/0579 , H01L51/107
Abstract: 本发明为PI封装的垂直结构酞菁钴薄膜二极管。其组成包括：玻璃衬底，在玻璃衬底上沉积一层Cu薄膜，Cu薄膜与接下来的CoPc薄膜形成欧姆接触，CoPc薄膜与接下来的Al薄膜形成具有整流效应的肖特基接触，形成垂直结构的有机薄膜二极管，最后将聚酰亚胺薄膜用环氧树脂以紫外线固化对有机薄膜二极管进行封装。其中Cu薄膜层的厚度为80nm，所述的CoPc薄膜层的厚度为220nm，所述的金属Al薄膜层的厚度20nm，所述的PI封装薄膜层厚度为28um。得到的采用聚酰亚胺致密薄膜封装后的器件有效的阻隔了外界环境对器件的损坏，维持器件的稳定性，减缓垂直结构酞菁钴薄膜二极管的性能和寿命的衰减速度。
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公开(公告)号：CN108447978A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810329502.7
申请日：2018-04-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/18 , H01L41/47
Abstract: 一直以来压电材料都是非常重要的材料，被广泛应用于各个领域。近年来，压电材料的研究已经从含铅的钙钛矿和钛铁矿型压电材料到无机薄膜制造的压电材料，压电传感器的使用已经吸引很多研究者的关注。本发明的目的是提供一种通过测量无机薄膜二极管工作电流电压的变化，实现压力测定的无机薄膜压电二极管传感器。无机薄膜压电二极管，其组成包括：石英玻璃衬底，在玻璃衬底上沉积一层Al薄膜层，所述的Al薄膜层上面的有导电沟道ZnO薄膜层，两者之间形成欧姆接触，所述的ZnO薄膜层上有Ag薄膜层，形成肖特基接触。其中Al薄膜层厚度为20nm，所述的导电沟道ZnO薄膜层厚度为120nm,所述的Ag薄膜层厚度为50nm。所述ZnO薄膜为无机压电敏感膜。
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公开(公告)号：CN108445956A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810579371.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源，包括：偏置电路，运算放大器，启动电路，预调节电路，温度补偿电路和带隙基准核心电路。偏置电路，用于给运算放大器提供直流偏置电流；二级运算放大器的设计，用于钳制带隙基准源的电位降低温漂系数；启动电路的设计，用于使带隙基准源摆脱简并点状态；预调节电路的设计，用于使带隙基准源摆脱电源电压的直接供电，提高输出电源抑制比；温度补偿电路的设计，用于降低整体电路的温度漂移系数；带隙基准核心电路采用电流模电压基准结构，用于降低带隙基准源的输出电压。本发明的带隙电压基准源引入预调节电路结构，并进行高阶温度补偿，与传统带隙基准源相比有着更高的电源抑制比和更低的温漂系数，可适应高精度的工作要求。
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公开(公告)号：CN107039603A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710251562.7
申请日：2017-04-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0078 , H01L51/50 , H01L51/5048 , H01L2251/10 , H01L2251/50
Abstract: ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性。近年来，单一的有机材料蒸镀有机薄膜晶体管被广泛的制作和研究。本发明是两种有机材料进行共混蒸镀制作的有机薄膜二极管，这两种有机材料分别为酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)。ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的组成包括：底衬底（1），ITO薄膜电极作为二极管的阳极（2），蒸镀的ZnPc和 PbPc的共混薄膜作为有源层（3），Al薄膜电极作为阴极（4），并且ZnPc和PbPc有3种不同的混合质量比，分别为1:1、4:5和5:4。本发明具有更高地电流密度和更宽地光感应波长带域，可以应用于光传感器的单元、光电传感器阵列器件等广阔的领域。
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