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公开(公告)号：CN107834209A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711278609.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及的是一种三频带超材料吸收器，所述的超材料结构自下至上依次为底部全反射金属层、中间损耗介质层以及顶层的金属设计图样，三层结构紧密贴合。设计的金属图样为同一平面相互分立的三部份，包括外部正方形环、中间圆环和中心带短边类十字结构，三部分同正方形结构单元同中心。本发明具有吸收率高、极化无关、宽角度入射等特点，并有多个吸收频点工作在太赫兹波段。
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公开(公告)号：CN108666763A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810335032.5
申请日：2018-04-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高掺杂半导体的高效宽带太赫兹吸收器，该半导体宽带太赫兹吸收器共由两层结构组成，顶层由一圆环和一圆柱体构成，衬底是正方体，该宽带太赫兹吸收器所用材料均为同等掺杂浓度的高掺杂半导体，其基于硅材料通过高掺杂在太赫兹波段形成了等离子体材料，实现了入射到结构表面的电磁波几乎完全被吸收的特性，本发明拥有结构简单、无需多层材料堆叠、便于加工、极化不敏感、吸收效率高、吸收频带较宽与宽角度吸收等特点，可基本满足对太赫兹吸收方面的应用的要求。
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公开(公告)号：CN208256914U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201721681915.9
申请日：2017-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本实用新型涉及的是一种宽角度极化不敏感太赫兹三带吸收器，所述的超材料结构自下至上依次为底部全反射金属层、中间损耗介质层以及顶层的金属设计图样，三层结构紧密贴合。设计的金属图样为同一平面相互分立的三部份，包括外部正方形环、中间圆环和中心带短边类十字结构，三部分同正方形结构单元同中心。本实用新型具有吸收率高、极化无关、宽角度入射等特点，并有多个吸收频点工作在太赫兹波段。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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