公开(公告)号：CN116169546A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310043446.1

申请日：2023-01-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所 ,  哈尔滨工程大学

Inventor： 张昆 ,  李尧 ,  任晶 ,  王思凯 ,  花春帅 ,  张建中 ,  张大勇 ,  余洋 ,  赵鸿

IPC: H01S3/067 ,  C03B37/027 ,  C03B37/012

Abstract: 本申请的实施例公开了一种超大芯径的玻璃光纤以及制作方法，所述超大芯径的玻璃光纤包括：多组分芯层玻璃和包层玻璃，其中：所述包层玻璃为圆柱形，且所述包层玻璃延长度方向设置有通孔；所述多组分芯层玻璃为圆柱形，且所述多组分芯层玻璃的形状与所述包层玻璃的通孔的形状相匹配，所述多组分芯层玻璃设置在所述包层玻璃的通孔内通过设置多组分芯层玻璃以及包层玻璃，制作工艺简单，且将多组分芯层玻璃设置在包层玻璃内，能够提高玻璃光纤的纤芯半径以及包层半径，进而提高了高功率单频窄线宽光纤激光器的受激布里渊阈值，解决了现有光纤存在的各种光学非线性效应和激光输出模式不稳定的问题。

公开(公告)号：CN119977326A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510274513.X

申请日：2025-03-10

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 任晶 ,  花春帅 ,  刘闯 ,  郑晓鑫

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/068 ,  G02B1/00

Abstract: 一种Ce3+掺杂硅硼钆闪烁玻璃及其制备方法和应用，属于闪烁发光材料技术领域。该Ce3+掺杂硅硼钆闪烁玻璃，主体组分包括的成分及其摩尔百分比为：SiO2为5％、B2O3为25％、Gd2O3为25％、GdF3为40‑10％，X为5‑35％；X为MgF2、LiF、BaO、BaF2中的一种或几种，主体组分之和为100mol％；还原剂，按质量比，Ce3+掺杂硅硼钆闪烁玻璃：还原剂＝(6‑2):1；外掺Ce3+的占主体组分的摩尔百分比为1％‑2％。制备的Ce3+掺杂硅硼钆闪烁玻璃具有高光产额、X射线成像分辨率和高密度闪烁玻璃的量子效率，并且降低了高密度闪烁玻璃的制备成本。

公开(公告)号：CN119638194A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411824898.4

申请日：2024-12-12

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 任晶 ,  花春帅 ,  刘闯 ,  郑晓鑫

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/068 ,  C03B19/02 ,  G01N23/04 ,  G01T1/16 ,  G01T1/161 ,  G01T1/167 ,  G01T1/00 ,  G01D21/02

Abstract: 一种高密度Sn2+掺杂硅硼钆闪烁玻璃及其制备方法和应用，属于闪烁发光材料领域。该高密度Sn2+掺杂硅硼钆闪烁玻璃，包括主体组分、还原剂和外掺Sn2+；主体组分包括SiO2、B2O3、Gd2O3、GdF3和X，X为Al2O3、AlF3、BaO、BaF2中的一种或几种；SiO2、B2O3、Gd2O3、GdF3和X的摩尔百分比为SiO2为5‑10mol％，B2O3为15‑30mol％，Gd2O3为25‑35mol％，GdF3为25‑35mol％，X为5‑15mol％；主体组分之和为100mol％；还原剂的摩尔百分比为0.5‑2mol％；外掺Sn2+的摩尔百分比为0.5‑2mol％；高密度Sn2+掺杂硅硼钆闪烁玻璃密度为6‑6.26g/cm3，光致发光量子效率75％‑90％，大幅度提高了闪烁玻璃的密度、光致发光量子效率和X射线成像分辨率，并且降低了高密度闪烁玻璃的制备成本。