Patent search ap:("哈尔滨工程大学") AND inv:"石淘溢" Page 1

1.

发明公开
基于高速激光熔覆熔池原位反应在钛合金表面制备高熵陶瓷涂层的方法审中-实审

公开(公告)号：CN119352011A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411476319.1

申请日：2024-10-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 崔秀芳 , 刘进 , 金国 , 温鑫 , 石淘溢 , 刘浪 , 刘思航

IPC: C23C24/10

Abstract: 基于高速激光熔覆熔池原位反应在钛合金表面制备高熵陶瓷涂层的方法，本发明要解决现有高熵陶瓷涂层高熵相形成难、涂层质量差的问题。本发明利用高速激光熔覆工艺中的高能激光束将多组份陶瓷粉末以及钛合金表面熔化并形成熔池，熔池中同时包含熔融态的多组份陶瓷粉末和钛合金基体，基于熔池中原位反应在钛合金表面原位生成高熵陶瓷涂层。涂层包含两种高熵陶瓷相：一是高熵一硼化物相，通过被熔化的多组分陶瓷粉末与钛合金基体的原位反应生成；二是高熵二硼化物，通过被熔化的多组分陶瓷粉末之间的原位反应生成。本发明利用高速激光熔覆工艺在钛合金表面制备了内部无明显的缺陷，界面处与基体呈现良好冶金结合且具有极高硬度表现的高熵陶瓷涂层。

Patent Agency Ranking