公开(公告)号：CN116239148B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310040778.4

申请日：2023-01-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 冯莉莉 ,  杨飘萍 ,  赵若茜 ,  朱彦霖 ,  于程昊 ,  王文卓 ,  胡耀誉

IPC: C01G31/00 ,  G06F17/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  A61K49/04

Abstract: 一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，它涉及不同空位浓度二维压电纳米片的制备方法。本发明要解决现有压电纳米材料电子空穴对结合效率高，压电催化性能较差的问题。方法：将钒酸钠溶液逐滴加入到硝酸铋溶液中，然后加热，控制反应温度及反应时间，分别得到少钒空位的钒酸铋纳米片及富钒空位的钒酸铋纳米片。本发明用于钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备。

公开(公告)号：CN116239148A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310040778.4

申请日：2023-01-11

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 冯莉莉 ,  杨飘萍 ,  赵若茜 ,  朱彦霖 ,  于程昊 ,  王文卓 ,  胡耀誉

IPC: C01G31/00 ,  G06F17/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  A61K49/04

Abstract: 一种钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备方法，它涉及不同空位浓度二维压电纳米片的制备方法。本发明要解决现有压电纳米材料电子空穴对结合效率高，压电催化性能较差的问题。方法：将钒酸钠溶液逐滴加入到硝酸铋溶液中，然后加热，控制反应温度及反应时间，分别得到少钒空位的钒酸铋纳米片及富钒空位的钒酸铋纳米片。本发明用于钒空位浓度差异的二维压电钒酸铋纳米片的制备。