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公开(公告)号：CN119192458A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411481446.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C08F220/14 , C08F220/18 , C08F230/08 , C08F220/38 , C09D133/12 , C09D5/16 , C09D5/14
Abstract: 本发明公开了一种噻唑啉酮基丙烯酸硅烷酯自抛光防污树脂及其制备方法和应用，其中噻唑啉酮基丙烯酸硅烷酯自抛光防污树脂的制备方法主要是在氮气环境中，将噻唑啉酮基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、三异丙基硅基甲基丙烯酸酯、苯基二甲基硅基甲基丙烯酸酯以偶氮二异丁腈和过氧化苯甲酰为引发剂通过无规自由基聚合反应合成。其中噻唑啉酮基甲基丙烯酸酯单体是通过5‑氯‑2‑苯并噻唑啉酮先与甲基丙烯酰氯通过取代反应接枝双键，再与巯基乙醇进行巯基‑烯点击反应接枝羟基，最后再次与甲基丙烯酰氯通过取代反应制得。本发明使涂层即使在静态环境下仍具有良好的表面自更新能力以抑制大型污损生物的粘附。
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公开(公告)号：CN111286216A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010232997.9
申请日：2020-03-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法，包括如下步骤：步骤一：制备中空介孔SiO2微球；步骤二：向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球：步骤三：使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性：步骤四：向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控，环境污染小，制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111057442A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911337501.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08
Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法，将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性，然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面，制成在环氧涂层中具有良好分散性，并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器；本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性，这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制，将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器，主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。
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公开(公告)号：CN111286216B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010232997.9
申请日：2020-03-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法，包括如下步骤：步骤一：制备中空介孔SiO2微球；步骤二：向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球：步骤三：使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性：步骤四：向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控，环境污染小，制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。
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公开(公告)号：CN113564607A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110772080.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
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公开(公告)号：CN113564607B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110772080.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
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公开(公告)号：CN111057442B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201911337501.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08
Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法，将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性，然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面，制成在环氧涂层中具有良好分散性，并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器；本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性，这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制，将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器，主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。
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