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发明公开
一种基于非差非组合的实时GIM产品完好性监测方法审中-实审

公开(公告)号：CN119179086A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411485177.5

申请日：2024-10-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 李亮 , 夏敏瑄 , 王柳淇 , 王森楷

IPC: G01S19/20 , G01S19/07 , G01S19/37 , G01S19/23

Abstract: 本发明涉及一种基于非差非组合的实时GIM产品完好性监测方法，包括：利用非差非组合模型估计电离层穿刺点处的第一垂直电离层延迟；接收实时GIM产品并获得电离层格网点处的第二垂直电离层延迟；选取电离层格网点附近的至少3个第一垂直电离层延迟，计算得到第三垂直电离层延迟；将第二垂直电离层延迟与第三垂直电离层延迟作差以构建出检测统计量；根据误警率计算出检测阈值，比较格网点的检测统计量和检测阈值以进行故障检测，计算通过故障检测的格网点的测距域的最小可检测偏差，比较格网点的最小可检测偏差与预设的告警极限，最小可检测偏差小于告警极限的格网点为正常的网格点，即该网格点通过了对GIM产品的完好性监测。

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