公开(公告)号：CN115025804B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210754425.6

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘琦 ,  周众 ,  张宏森 ,  徐亚超 ,  朱佳慧 ,  于静 ,  刘婧媛 ,  陈蓉蓉 ,  李茹民 ,  王君

IPC: B01J27/24 ,  B01J20/22 ,  B01J20/30 ,  C22B60/02 ,  C22B7/00

Abstract: 一种光催化铀捕获二维片状半导体及其制备方法，本发明涉及光催化半导体材料领域，具体地说是一种光催化协同铀捕获二维片状半导体及其制备方法。制备方法包括石墨相氮化碳g‑C3N4的合成；具有N缺陷的g‑C3N4的合成；偕氨肟基修饰的g‑C3N4的合成。应用本方法获得的材料具有二维片层结构，具体厚度为2 nm 左右，且片层上存在大小不一的孔隙；表面均匀分布着偕胺肟基团和少量未水解的氰基；材料片层上总体呈均匀Π电子共轭碳氮六元环结构，且片层孔隙处，存在大量亲水性氮氧官能团；材料具有较好的可见光吸收能力。

公开(公告)号：CN115025804A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210754425.6

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘琦 ,  周众 ,  张宏森 ,  徐亚超 ,  朱佳慧 ,  于静 ,  刘婧媛 ,  陈蓉蓉 ,  李茹民 ,  王君

IPC: B01J27/24 ,  B01J20/22 ,  B01J20/30 ,  C22B60/02 ,  C22B7/00

Abstract: 一种光催化铀捕获二维片状半导体及其制备方法，本发明涉及光催化半导体材料领域，具体地说是一种光催化协同铀捕获二维片状半导体及其制备方法。制备方法包括石墨相氮化碳g‑C3N4的合成；具有N缺陷的g‑C3N4的合成；偕氨肟基修饰的g‑C3N4的合成。应用本方法获得的材料具有二维片层结构，具体厚度为2 nm左右，且片层上存在大小不一的孔隙；表面均匀分布着偕胺肟基团和少量未水解的氰基；材料片层上总体呈均匀Π电子共轭碳氮六元环结构，且片层孔隙处，存在大量亲水性氮氧官能团；材料具有较好的可见光吸收能力。