-
公开(公告)号:CN115025804B
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202210754425.6
申请日:2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 一种光催化铀捕获二维片状半导体及其制备方法,本发明涉及光催化半导体材料领域,具体地说是一种光催化协同铀捕获二维片状半导体及其制备方法。制备方法包括石墨相氮化碳g‑C3N4的合成;具有N缺陷的g‑C3N4的合成;偕氨肟基修饰的g‑C3N4的合成。应用本方法获得的材料具有二维片层结构,具体厚度为2 nm 左右,且片层上存在大小不一的孔隙;表面均匀分布着偕胺肟基团和少量未水解的氰基;材料片层上总体呈均匀Π电子共轭碳氮六元环结构,且片层孔隙处,存在大量亲水性氮氧官能团;材料具有较好的可见光吸收能力。
-
公开(公告)号:CN115025804A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210754425.6
申请日:2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 一种光催化铀捕获二维片状半导体及其制备方法,本发明涉及光催化半导体材料领域,具体地说是一种光催化协同铀捕获二维片状半导体及其制备方法。制备方法包括石墨相氮化碳g‑C3N4的合成;具有N缺陷的g‑C3N4的合成;偕氨肟基修饰的g‑C3N4的合成。应用本方法获得的材料具有二维片层结构,具体厚度为2 nm左右,且片层上存在大小不一的孔隙;表面均匀分布着偕胺肟基团和少量未水解的氰基;材料片层上总体呈均匀Π电子共轭碳氮六元环结构,且片层孔隙处,存在大量亲水性氮氧官能团;材料具有较好的可见光吸收能力。
-