-
公开(公告)号：CN117650056A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611164.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷直插器件的封装工艺，所述封装工艺是将芯片通过真空烧结工艺烧结在直插器件的导电区，再通过深腔键合工艺将键合丝的两端键合在芯片和直插器件的引出端上，最后再将管壳进行封焊，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔真空烧结工艺和深腔键合工艺，使其封装的器件漏电小、烧结空洞率低、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN117777650A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311720393.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 重庆吉芯科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及辐射防护材料技术领域，公开了一种辐射防护用聚醚醚酮复合材料、制备方法及应用，复合材料的原料按质量分数碳化硼为10％～30％，氧化钨为5％～20％，聚醚醚酮为50％～85％；制备时，取碳化硼、氧化钨和聚醚醚酮粉末，混合均匀，得到混合粉末；将混合粉末以压力一压制成胚体，所述压力一为5～20Mpa，得到预制胚体；将预制胚体在350～450℃下保温10～60min，以压力二压制成薄膜，所述压力二为0.5～2Mpa，获得辐射防护聚醚醚酮复合材料。本发明以碳化硼和氧化钨作为功能粒子，以聚醚醚酮为基体，采用球磨混合和热压的方法制备出具有辐射防护作用的聚醚醚酮耐高温薄膜，工艺流程简单，易于进行工业化生产。
-
公开(公告)号：CN117747439A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603344.7
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺，原材料包括器件管壳、带金锡焊料环的盖板、合金焊料片、芯片和键合丝，器件管壳为金属陶瓷材料，器件管壳的芯腔及两侧均设置有导电区，器件管壳的两侧设置有引出端，合金焊料片为金锡或铅锡银焊料片，芯片的背面为金或银；封装工艺包括以下步骤：采用深腔合金焊料片回流焊接工艺将芯片焊接至器件管壳的芯腔处的导电区；采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和器件管壳两端的导电区；采用金锡熔封工艺将盖板与器件管壳密封，完成器件封装。本发明使封装的金属陶瓷小规模集成电路器件焊接空洞率低、热阻低、气密性好、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN117766409A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311603272.6
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，步骤包括：取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空；腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热；保持腔体内温度在T1，并抽真空；将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空；保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应。本发明不但能降低使用金锡焊料烧结元器件时的空洞率，还能提高产品质量和可靠性。
-
公开(公告)号：CN117747438A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603311.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封焊技术领域，公开了一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。本发明在降低金锡熔封器件熔封空洞率，提高气密性的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾了生产效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117650055A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611163.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷表面贴器件的封装工艺，包括以下步骤：S1选材，选取贴器件、焊料片、芯片和键合丝，其中，所述贴器件包括管壳、设置在管壳内的导电区和设置在管壳底部的引出端；S2.采用深腔真空回流炉烧结工艺将芯片烧结至管壳管芯处的导电区；S3.采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和管壳端部的导电区上；S4.将管壳与盖板进行平行封焊密封，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔焊料片烧结工艺和深腔键合工艺，使特种陶瓷表面封装的器件体积小、重量轻、热阻小、效率高、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN115945754A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211694191.7
申请日：2022-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及电子产品封装技术领域，公开了一种降低铅锡银焊接元器件空洞率的焊接工艺，将芯片、铅锡银焊片和管壳依次叠装到一起得到焊接结构；清洗焊接腔，将焊接腔腔室内温度升至100‑150℃；保持温度并抽真空30‑100s；将温度升至150‑200℃；保持温度并持续充入还原性气体100‑300s，再在温度下保温100‑150s；将温度从升到200‑250℃，在升温过程中填充保护气体；保持温度并抽真空30‑60s；将温度升到250‑300℃，并抽真空；将温度升到300‑350℃；保持温度，铅锡银焊片充分熔化，并与芯片背面金属、管壳内腔金属完成共晶反应，反应时间为20‑100s。本发明能够降低铅锡银焊接封装元器件空洞率的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾质量一致性和生产效率。
-
公开(公告)号：CN221977893U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202323333427.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本实用新型涉及工装夹具技术领域，公开了一种用于QFP系列金锡熔封的工装夹具，包括夹具本体，所述夹具本体包括上盖板和下盖板，所述下盖板的上表面设置有定位块，所述上盖板的上表面沿竖直方向向下贯穿设置有定位槽，所述定位槽为阶梯槽，所述定位槽的尺寸由竖直方向从上至下依次增大，所述上盖板和下盖板之间设置有锁紧件。本实用新型具有保证金锡盖板和管壳的相对位置，金锡盖板和管壳结合紧密，避免熔封不充分出现缝隙和空洞，具有较好的可操作性和熔封成型的一致性等特征，保证了器件的气密性的同时提高了器件的可靠性的效果。
-
公开(公告)号：CN221658424U
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202323219838.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型涉及一种用于陶瓷金属封装平行缝焊的工装夹具，包括底座组件以及与所述底座组件连接的夹具组件，所述夹具组件具有定位腔组件，所述定位腔组件内安装有顶板组件，所述顶板组件上设置有用于压紧位于所述顶板组件上管壳的压板组件，所述定位腔组件四角处均设置有避让孔组件。本实用新型不但能快速将sop陶瓷金属快速夹持定位，且利于更换不同夹具。
-
公开(公告)号：CN221967812U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202323405890.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: B25B11/00
Abstract: 本实用新型涉及工装夹具技术领域，公开了一种半导体器件用碰撞试验固定装置，包括夹具本体，所述夹具本体位于夹具本体宽度方向的侧面中部沿夹具本体长度方向设置有供器件放入的定位槽，所述夹具本体位于夹具本体宽度方向的侧面设置有用于抵紧器件的夹紧块，所述夹具本体与碰撞设备之间设置有锁紧件。本实用新型具有结构简单，调节方便，可一次性对多个器件进行碰撞试验，可批量放入或取出器件，取放方便，同时可对多种尺寸的器件进行定位以及完成碰撞实验的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.106 seconds)
