公开(公告)号：CN103325888B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310249995.0

申请日：2013-06-21

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 周洪彪 ,  张化宇 ,  韩杰才

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，包括以下几个步骤：步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。

公开(公告)号：CN103325888A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310249995.0

申请日：2013-06-21

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 周洪彪 ,  张化宇 ,  韩杰才

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，包括以下几个步骤：步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。