公开(公告)号：CN119789755A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411751319.8

申请日：2024-12-02

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  马晓静 ,  林晨浩 ,  杨恒宇 ,  梁堃 ,  江峰 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: H10N10/01 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52 ,  H10N10/853

Abstract: 本发明涉及热电半导体材料领域，提供了一种基于Mg3Bi2基单晶热电材料的制冷器件制备方法，包括：单晶热电材料制备步骤和制冷器件制备步骤；单晶热电材料制备步骤包括：原料称取步骤：按Mg3.05Bi1.997‑xSbxTe0.003的名义称量镁、铋、锑和碲元素，其中，x＝0.1‑1.5；原料熔炼步骤：将原料放置于耐温容器中熔炼得到熔液；单晶形成步骤：控制熔液的温度下降速率，使熔液降温以于熔液形成单晶形核点，熔液继续降温，单晶形核点生长形成单晶，获取单晶热电材料；制冷器件制备步骤包括：将单晶热电材料制备成n型热电单腿，将n型热电单腿与p型热电单腿焊接形成单、双级热电制冷器件。本发明所制备的Mg3Bi2基单晶热电材料的热电性能佳，制冷器件的接头质量佳，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN118417785A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410336543.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  林晨浩 ,  杨恒宇 ,  梁堃 ,  马晓静 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: B23K37/04 ,  H10N10/01 ,  B23K31/02

Abstract: 本发明提供了一种用于制备多级热电制冷器件的模具，用于多级热电制冷器件的限位，模具包括用于承载多级热电制冷器件的底座和用于对多级热电制冷器件的进行限位的限位部件；多级热电制冷器件包括多组层叠设置的单级热电制冷器件，限位部件包括多个依次邻接且分别用于对各单级热电制冷器件进行限位的单级限位组件。本发明提供的一种用于制备多级热电制冷器件的模具及制备方法，有利于多级热电制冷器件的搭建，防止各级热电器件发生位移，制备具有可靠热电性能的多级热电器件，降低器件装配难度，提高生产效率，只需一次回流焊即可完成器件的焊接，提高器件良品率，模具结构简单，通过这样的模具搭配方法，还能进一步搭设乃至n级器件，实用性佳。

公开(公告)号：CN118007227A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410063700.9

申请日：2024-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  赵鹏 ,  马晓静 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52 ,  H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种单晶热电材料及其制备方法与应用。本发明单晶热电材料的制备方法包括如下步骤：于保护气氛下，制备原料经高温保温处理，降温后，得到所述单晶热电材料；其中所述制备原料包括镁源和铋源；所述降温速率包括0.01‑15℃/h。本发明中制得的单晶热电材料兼具高塑性变形能力以及高热电性能，用于柔性热电器件的前景好。

公开(公告)号：CN119710892A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411751062.6

申请日：2024-12-02

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  芝世珍 ,  马晓静 ,  叶升 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明涉及半导体晶体材料技术领域，提供了一种低热导率Mg‑Ag‑Sb三元化合物单晶材料及其制备方法。制备方法包括以下步骤：原料称取步骤：按设定化学计量比称取Mg、Ag、Sb和Bi原料；封装步骤：将所述原料称取步骤中称取的原料封装于封装容器内；单晶生长步骤：将所述封装容器放置于温控设备内进行控温，使所述封装容器内的原料完全熔化形成熔液后降温，使所述熔液中形成晶胚并生长为单晶；离心步骤：所述封装容器中熔液的温度下降至设定范围，将所述封装容器放置至离心设备中进行离心处理，使所述熔液中的单晶被分离，得到Mg‑Ag‑Sb三元化合物单晶热电材料。制备方法可调控性强，制备得到的材料纯度和均匀性高，热导率极低。

公开(公告)号：CN119243337A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411202105.5

申请日：2024-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  叶升 ,  芝世珍 ,  马晓静 ,  端思晨 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: C30B29/52 ,  C30B9/06 ,  H10N10/853

Abstract: 本发明提供了一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料，所述TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的化学式为Ti1‑x‑yMxRyCoSb；其中，M元素包括Nb元素、Ta元素、Sc元素、V元素中的至少一种，R元素包括Zr元素、Hf元素中的至少一种，并且x不大于0.07，y不大于0.25。本发明所提供的一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料、制备方法及热电装置，通过在Ti位按照比例掺杂M元素和合金化R金属元素，实现TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的性能调控；通过不同比例M元素的异价掺杂作用，提供热电材料所需的合适载流子浓度，以提高材料的功率因子PF，提升材料的电性能；通过引入不同比例R元素的等电子合金化作用，提供声子的散射点位，降低材料的热导率，保证所制备的Ti1‑x‑yMxRyCoSb单晶具有良好的热电性能。