公开(公告)号：CN119710892A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411751062.6

申请日：2024-12-02

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  芝世珍 ,  马晓静 ,  叶升 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明涉及半导体晶体材料技术领域，提供了一种低热导率Mg‑Ag‑Sb三元化合物单晶材料及其制备方法。制备方法包括以下步骤：原料称取步骤：按设定化学计量比称取Mg、Ag、Sb和Bi原料；封装步骤：将所述原料称取步骤中称取的原料封装于封装容器内；单晶生长步骤：将所述封装容器放置于温控设备内进行控温，使所述封装容器内的原料完全熔化形成熔液后降温，使所述熔液中形成晶胚并生长为单晶；离心步骤：所述封装容器中熔液的温度下降至设定范围，将所述封装容器放置至离心设备中进行离心处理，使所述熔液中的单晶被分离，得到Mg‑Ag‑Sb三元化合物单晶热电材料。制备方法可调控性强，制备得到的材料纯度和均匀性高，热导率极低。

公开(公告)号：CN119243337A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411202105.5

申请日：2024-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 毛俊 ,  叶升 ,  芝世珍 ,  马晓静 ,  端思晨 ,  张倩 ,  曹峰

IPC: C30B29/52 ,  C30B9/06 ,  H10N10/853

Abstract: 本发明提供了一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料，所述TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的化学式为Ti1‑x‑yMxRyCoSb；其中，M元素包括Nb元素、Ta元素、Sc元素、V元素中的至少一种，R元素包括Zr元素、Hf元素中的至少一种，并且x不大于0.07，y不大于0.25。本发明所提供的一种TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料、制备方法及热电装置，通过在Ti位按照比例掺杂M元素和合金化R金属元素，实现TiCoSb基半哈斯勒单晶热电材料的性能调控；通过不同比例M元素的异价掺杂作用，提供热电材料所需的合适载流子浓度，以提高材料的功率因子PF，提升材料的电性能；通过引入不同比例R元素的等电子合金化作用，提供声子的散射点位，降低材料的热导率，保证所制备的Ti1‑x‑yMxRyCoSb单晶具有良好的热电性能。