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发明公开
一种氧化铈基隔离层及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN119944017A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510111246.4

申请日：2025-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 潘泽华 , 武俊伟 , 严资林 , 焦震钧 , 仲政

IPC: H01M8/126 , H01M8/1253 , H01M4/88

Abstract: 本发明公开了一种氧化铈基隔离层及其制备方法和应用，属于电池技术领域。本技术方案以Ce‑M合金为靶材，采用磁控溅射工艺在固体氧化物燃料电池半电池的电解质层表面制备氧化铈基隔离层，然后将阴极印刷在氧化铈基隔离层表面，待阴极浆料干燥后进行共烧得到单电池，改进了金属磁控溅射技术路线，通过在溅射腔体中同时通入一定量氧气实现反应磁控溅射，通过优化溅射过程中的电流、氧气流量、偏压等工艺参数，优化溅射后薄膜和LSCF电极的处理温度，有效获得致密氧化铈基隔离层，进一步提高SOC的性能和长期稳定性。

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