公开(公告)号：CN114864731A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210339448.0

申请日：2022-04-01

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 徐科 ,  王嘉宁

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/024

Abstract: 本发明提供了一种用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其包括两个电极、两个TiN加热电极、TiN加热层、N重掺杂硅层、P重掺杂硅层、锗吸收层、硅本征层、硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层；所述N重掺杂硅层、P重掺杂硅层位于两侧且分别与两个电极连接，所述硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层、硅本征层依次位于N重掺杂硅层、P重掺杂硅层之间，所述锗吸收层设于硅本征层的上方并相连，所述TiN加热层位于锗吸收层的上方，所述锗吸收层与TiN加热层、TiN加热电极之间通过填充物隔离。本发明的技术方案的器件，结构紧凑，响应度高，能与硅基CMOS工艺相兼容。

公开(公告)号：CN114864731B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202210339448.0

申请日：2022-04-01

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 徐科 ,  王嘉宁

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/024

Abstract: 本发明提供了一种用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其包括两个电极、两个TiN加热电极、TiN加热层、N重掺杂硅层、P重掺杂硅层、锗吸收层、硅本征层、硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层；所述N重掺杂硅层、P重掺杂硅层位于两侧且分别与两个电极连接，所述硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层、硅本征层依次位于N重掺杂硅层、P重掺杂硅层之间，所述锗吸收层设于硅本征层的上方并相连，所述TiN加热层位于锗吸收层的上方，所述锗吸收层与TiN加热层、TiN加热电极之间通过填充物隔离。本发明的技术方案的器件，结构紧凑，响应度高，能与硅基CMOS工艺相兼容。