公开(公告)号：CN113881105A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111032232.1

申请日：2021-09-03

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 汪桂根 ,  张思颖 ,  赵大强

IPC: C08L1/02 ,  C08K9/02 ,  C08K3/14 ,  C08K7/00 ,  C08J5/18 ,  C08J9/28 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供了一种多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备MXene分散液；步骤S2，采用H+对MXene进行交联，得到H+交联处理的MXene；步骤S3，将H+交联处理的MXene与细菌纤维素进行复合，得到复合薄膜；步骤S4，对复合薄膜进行冷冻铸造，得到多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜。本发明的技术方案通过H+交联实现对薄膜孔隙率及厚度的调控，进而改善薄膜电磁屏蔽性能，MXene层作为导电骨架，细菌纤维素层作为力学性能骨架，在具有更好的电磁屏蔽性能的同时克服了MXene基多孔泡沫结构材料力学性能差的问题。