一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN116216654B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202310290237.7

    申请日:2023-03-23

    Abstract: 本发明涉及二维材料的制备技术领域(IPC分类号为H01L31/032),尤其涉及一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用,所述方法包括如下步骤:S1.将柠檬酸铋铵、亚硒酸盐、亚碲酸盐溶解在无机碱水溶液中,加热保温,得到混合物1;S2.弃去混合物1的上层清液,摇晃混合物1的下层液体,待纳米片悬浮后转移至离心管,离心,收集沉淀,干燥,得到碲掺杂硒氧化铋二维材料。本发明采用低能耗、操作简单的水热法,相比于合成二维材料常用的化学气相沉积法,水热法所需设备成本更低,且能将Te元素均匀的掺杂进二维硒氧化铋纳米片中。

    一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN116216654A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310290237.7

    申请日:2023-03-23

    Abstract: 本发明涉及二维材料的制备技术领域(IPC分类号为H01L31/032),尤其涉及一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用,所述方法包括如下步骤:S1.将柠檬酸铋铵、亚硒酸盐、亚碲酸盐溶解在无机碱水溶液中,加热保温,得到混合物1;S2.弃去混合物1的上层清液,摇晃混合物1的下层液体,待纳米片悬浮后转移至离心管,离心,收集沉淀,干燥,得到碲掺杂硒氧化铋二维材料。本发明采用低能耗、操作简单的水热法,相比于合成二维材料常用的化学气相沉积法,水热法所需设备成本更低,且能将Te元素均匀的掺杂进二维硒氧化铋纳米片中。

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