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公开(公告)号：CN117075408A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310971492.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 成渝地区双城经济圈(泸州)先进技术研究院
Abstract: 据报道，在单层过渡金属二硫化物中，由于对称性断裂，二次谐波产生(SHG)响应增强。具有类似断裂反转对称性的类3R堆叠二硒化钼(MoSe2)螺旋结构应该显著增强SHG响应，从而在设计小型片上非线性光学器件时提供巨大的便利。为了实现这一点，通过设计化学气相沉积法，合成了具有3R堆叠MoSe2结构。在3R堆叠MoSe2中，SHG响应增强了多达三个数量级。
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