公开(公告)号：CN103274715B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310227145.0

申请日：2013-06-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 林铁松 ,  何鹏 ,  潘瑞 ,  邱砚龙

IPC: C04B37/00

Abstract: 一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接方法，它涉及一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的连接方法。本发明是要解决传统陶瓷连接方法中接头残余应力大、强度低、耐热性能不足和连接温度高的问题。方法：一、表面清理；二、预置活性金属层；三、真空扩散连接；即完成基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。本发明在活性金属Ti层厚度4μm，连接压力20MPa，连接温度1400℃，连接时间60min的工艺参数下，实现了间隙ZrC0.95陶瓷的活性扩散连接，接头剪切强度为200MPa，和传统陶瓷连接方法相比提高了近2倍。本发明可用于间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。

公开(公告)号：CN103274715A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310227145.0

申请日：2013-06-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 林铁松 ,  何鹏 ,  潘瑞 ,  邱砚龙

IPC: C04B37/00

Abstract: 一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接方法，它涉及一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的连接方法。本发明是要解决传统陶瓷连接方法中接头残余应力大、强度低、耐热性能不足和连接温度高的问题。方法：一、表面清理；二、预置活性金属层；三、真空扩散连接；即完成基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。本发明在活性金属Ti层厚度4μm，连接压力20MPa，连接温度1400℃，连接时间60min的工艺参数下，实现了间隙ZrC0.95陶瓷的活性扩散连接，接头剪切强度为200MPa，和传统陶瓷连接方法相比提高了近2倍。本发明可用于间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。