-
公开(公告)号：CN101880901B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010301123.0
申请日：2010-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。
-
公开(公告)号：CN103162857B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310041124.X
申请日：2013-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/12
Abstract: 一种光子晶体温度传感器及其制备方法，它涉及一种简易的传感器及其制备方法，本发明要解决现有传感器存在的仅能够输出信号、无法调控或反作用于输出信号的问题，本发明的光子晶体温度传感器是由水凝胶和单分散微球复合而成；方法为：利用原位聚合法，在光子晶体上生长凝胶，得到光子晶体/智能水凝胶复合体系，将产物制成块状或涂覆在基底上，即得。本发明制备的简易的光子晶体温度传感器，不但可以有效快速的显示测定区域的温度情况，而且可以对温度场进行响应，调控入射光强度，有效减缓升温速率乃至降低测定区域的温度。
-
公开(公告)号：CN101435110B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810209609.4
申请日：2008-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 锗三维光子晶体的制备方法，它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下：倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板；配制电解液；三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗；化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100％，且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单，操作方便。
-
公开(公告)号：CN102583499A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210006997.2
申请日：2012-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 形貌可控氧化亚铜微/纳米晶的制备方法，它涉及氧化亚铜微/纳米晶的制备方法。本发明主要解决微/纳米氧化亚铜的制备过程中存在成本较高、污染环境的技术问题。方法：一、将铜盐溶于超纯水中，倒入乳酸，继续搅拌，调节pH值，再冷却至25℃定容，测量pH值，得溶液A；步骤二、将溶液A移至水热反应釜中，封闭反应釜，将水热反应釜放入烘箱内，保温后自然冷却到室温，超纯水离心洗涤后，用无水乙醇离心洗涤，再转移到表面皿后置于烘箱中烘干；得氧化亚铜微/纳米晶。本发明形貌可控氧化亚铜微/纳米晶的制备方法简单易行，设备操作简单，原料价格便宜，容易合成，对环境污染小，合成浓度高，克服了现有技术中形貌控制与工业化大规模合成中的成本问题，利于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN101775660A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010134372.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101723600A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910309861.7
申请日：2009-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铌或钽化合物三维有序大孔薄膜的制备方法，它涉及一种铌或钽化合物薄膜的制备方法。本发明解决了现有三维有序大孔薄膜制备方法工艺复杂、设备复杂、成本高的问题。本发明方法：首先制备聚苯乙烯胶体晶体模板，然后制备铌或钽前驱体溶胶，再将铌或钽前驱体溶胶填充到聚苯乙烯胶体晶体模板内部，最后热处理去除聚苯乙烯微球即得。本发明采用垂直沉积法和金属羧酸盐聚合物前驱体方法制备得到三维有序大孔薄膜，工艺简单易操作，无需复杂设备，采用五氧化二铌或五氧化二钽为原料，成本降低。得到的大孔薄膜具有有序的三维空间结构、很好的开放性和大的比表面积，可应用于电子器件、传感器、电极材料和光学材料等行业。
-
公开(公告)号：CN103162857A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310041124.X
申请日：2013-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/12
Abstract: 一种光子晶体温度传感器及其制备方法，它涉及一种简易的传感器及其制备方法，本发明要解决现有传感器存在的仅能够输出信号、无法调控或反作用于输出信号的问题，本发明的光子晶体温度传感器是由水凝胶和单分散微球复合而成；方法为：利用原位聚合法，在光子晶体上生长凝胶，得到光子晶体/智能水凝胶复合体系，将产物制成块状或涂覆在基底上，即得。本发明制备的简易的光子晶体温度传感器，不但可以有效快速的显示测定区域的温度情况，而且可以对温度场进行响应，调控入射光强度，有效减缓升温速率乃至降低测定区域的温度。
-
公开(公告)号：CN101775660B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010134372.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
-
公开(公告)号：CN101723600B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910309861.7
申请日：2009-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铌或钽化合物三维有序大孔薄膜的制备方法，它涉及一种铌或钽化合物薄膜的制备方法。本发明解决了现有三维有序大孔薄膜制备方法工艺复杂、设备复杂、成本高的问题。本发明方法：首先制备聚苯乙烯胶体晶体模板，然后制备铌或钽前驱体溶胶，再将铌或钽前驱体溶胶填充到聚苯乙烯胶体晶体模板内部，最后热处理去除聚苯乙烯微球即得。本发明采用垂直沉积法和金属羧酸盐聚合物前驱体方法制备得到三维有序大孔薄膜，工艺简单易操作，无需复杂设备，采用五氧化二铌或五氧化二钽为原料，成本降低。得到的大孔薄膜具有有序的三维空间结构、很好的开放性和大的比表面积，可应用于电子器件、传感器、电极材料和光学材料等行业。
-
公开(公告)号：CN101880901A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010301123.0
申请日：2010-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 硅锗合金薄膜材料的制备方法，它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗，然后自然晾干；二、配制电解液；三、采用三电极法进行电沉积，即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积，所需设备造价低，方法简单，容易操作，反应无需使用氢气，提高生产的安全系数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.026 seconds)
