电沉积制备三维硅光子晶体的方法

    公开(公告)号:CN101775660B

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201010134372.5

    申请日:2010-03-29

    Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法,它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法:一、制备胶体晶体模板;二、配置电解液;三、在胶体晶体模板上填充还原硅;四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%,能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单,操作方便,设备简单,成本降低,在常温下即可实现。

    硅锗合金薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101880901A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN201010301123.0

    申请日:2010-02-03

    Abstract: 硅锗合金薄膜材料的制备方法,它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下:一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗,然后自然晾干;二、配制电解液;三、采用三电极法进行电沉积,即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积,所需设备造价低,方法简单,容易操作,反应无需使用氢气,提高生产的安全系数。

    锗三维光子晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101435110A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200810209609.4

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 锗三维光子晶体的制备方法,它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法中锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下:倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板;配制电解液;三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗;化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板,即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100%,且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单,操作方便。

    电沉积制备三维硅光子晶体的方法

    公开(公告)号:CN101775660A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010134372.5

    申请日:2010-03-29

    Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法,它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法:一、制备胶体晶体模板;二、配置电解液;三、在胶体晶体模板上填充还原硅;四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%,能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单,操作方便,设备简单,成本降低,在常温下即可实现。

    锗三维光子晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN101435110B

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN200810209609.4

    申请日:2008-12-04

    Abstract: 锗三维光子晶体的制备方法,它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下:倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板;配制电解液;三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗;化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板,即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100%,且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单,操作方便。

    硅锗合金薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101880901B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201010301123.0

    申请日:2010-02-03

    Abstract: 硅锗合金薄膜材料的制备方法,它属于硅锗合金薄膜领域。本发明解决了现有工艺制备硅锗合金薄膜存在设备造价高、操作条件苛刻及使用氢气使安全系数降低的问题。本发明方法如下:一、基片依次用丙酮、甲醇和超纯水超声清洗,然后自然晾干;二、配制电解液;三、采用三电极法进行电沉积,即在基片表面获得硅锗合金薄膜材料。本发明采用三电极法进行电沉积,所需设备造价低,方法简单,容易操作,反应无需使用氢气,提高生产的安全系数。

Patent Agency Ranking