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公开(公告)号：CN118300541A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410505711.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电压反馈型斩波仪表放大器，解决了如何实现电压反馈型斩波仪表放大器的大摆幅差分输入的问题，属于电子电路技术领域。本发明包括低频高增益通路、高频低增益通路、输入共模电压跟随通路和共模反馈回路；低频高增益通路用于降低失调电压以及低频噪声，高频低增益通路用于降低失调电压斩波带来的纹波以及扩展运放带宽，输入共模电压跟随通路用于检测输入共模电压，共模反馈回路将输入共模电压作为参考电压，使输入共模电压与输出共模电压相等，且使正输入端Vin+、负输入端Vin‑、正反馈端Fb+和负反馈端Fb‑的静态电压相等，使电压负反馈有效进行，从而保证了输入信号的大摆幅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119414200B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510021122.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种光电效应测量系统，属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光，测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块，用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光，经准直透镜形成平行光；波长选择模块，采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射，获得单一波长光束；所述单一波长光束入射到半导体样品上；所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制，改变出射光束波长；微弱电压电流检测模块，用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测，并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。
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公开(公告)号：CN118730086A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410777977.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C21/16
Abstract: 应用在惯性测量单元中的时钟电路，解决了低输入参考频率下，自时钟电路难集成的问题，属于电子电路技术领域。本发明的时钟电路，包括比较器以及锁相环电路；锁相环电路包括鉴频鉴相器PFD、开关电阻型有源环路滤波器、电压控制振荡器VCO和可调倍数分频器M1；其中，开关电阻型有源环路滤波器包括缓冲器B1、缓冲器B2、电阻R1‑R8，电容C1‑C4、开关S1、开关S2和运算放大器A1；本发明通过使用一种开关电阻型PLL电路，解决了时钟电路难集成问题；通过设置时钟电路上电的初始时钟输出，能够使MEMS表头快速起振。
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公开(公告)号：CN119414200A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510021122.7
申请日：2025-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种光电效应测量系统，属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光，测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块，用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光，经准直透镜形成平行光；波长选择模块，采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射，获得单一波长光束；所述单一波长光束入射到半导体样品上；所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制，改变出射光束波长；微弱电压电流检测模块，用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测，并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。
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公开(公告)号：CN119395392A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510007448.4
申请日：2025-01-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种半导体动态电容测试系统，属于半导体器件特性测量技术领域。本发明针对现有半导体器件动态电容测试平台线性度差的问题。包括：通过控制器产生温度控制信号目标值和检测控制使能电压信号；通过温度控制模块使检测平台达到温度控制信号目标值；通过集成化检测前级接口电路采用集成电路芯片根据检测控制使能电压信号产生参考直流电压信号和目标正弦电压信号并加载到待测电容两端；所述待测电容设置在检测平台上；同时通过集成化检测前级接口电路采集待测电容两端的电压波形，并对电压波形进行处理得到电容测量值。本发明用于半导体动态电容测试。
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