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公开(公告)号：CN105005212A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510540537.1
申请日：2015-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 一种应用于半实物仿真实验中帧同步的实现方法。本发明属于半实物仿真实验的技术领域。它的方法步骤一：将目标模拟器中视频信号处理芯片的帧同步信号、目标模拟器电路电源+Vpp和目标模拟器电路地都飞线引出；二：将视频信号处理芯片的帧同步信号通过电阻R1输入到运算放大器A1的反向输入端内，同时帧同步信号通过电阻R1、电阻Rf输入到光耦A2中的发光二极管的正极端内，光耦A2中的光敏三极管的发射极通过电阻R3接地；三：将光耦A2中的光敏三极管的发射极端输出的触发信号输入到CCD相机的曝光拍照触发输入端内。本发明能有效的完成仿真实验中帧同步的难题，使得目标模拟器与目标接收装置达到精确的帧同步效果，使得仿真实验可以顺利的进行。
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公开(公告)号：CN105068244B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510517575.5
申请日：2015-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种通过DMD拼接实现的分辨率提高的方法。本发明属于提高DMD分辨率的技术领域。它的方法步骤一、在计算机上将4k×4k的图像通过图像分割的方法分为4k×2k、4k×2k两部分；二、将DMD1芯片放置在双层固定台的底层固定台上的滑动导轨上，DMD2芯片固定放置在双层固定台的上层固定台上；三、DMD控制芯片将上述两部分图像信号进行处理后，将上述两部分4K×2K的图像分别同时传输到DMD1芯片和DMD2芯片中；四、通过高分辨率CCD相机对DMD1芯片像素和DMD2芯片像素成像，再通过精确位置移动平台能驱动DMD1芯片做相对于双层固定台的底层固定台台面做精密平行位移，使DMD1芯片边缘像素与DMD2芯片边缘像素之间的距离达到标称值。本发明能实现将两块DMD芯片像无缝拼接，大幅度提高DMD芯片的分辨率。
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公开(公告)号：CN105068244A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510517575.5
申请日：2015-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种通过DMD拼接实现的分辨率提高的方法。本发明属于提高DMD分辨率的技术领域。它的方法步骤一、在计算机上将4k×4k的图像通过图像分割的方法分为4k×2k、4k×2k两部分；二、将DMD1芯片放置在双层固定台的底层固定台上的滑动导轨上，DMD2芯片固定放置在双层固定台的上层固定台上；三、DMD控制芯片将上述两部分图像信号进行处理后，将上述两部分4K×2K的图像分别同时传输到DMD1芯片和DMD2芯片中；四、通过高分辨率CCD相机对DMD1芯片像素和DMD2芯片像素成像，再通过精确位置移动平台能驱动DMD1芯片做相对于双层固定台的底层固定台台面做精密平行位移，使DMD1芯片边缘像素与DMD2芯片边缘像素之间的距离达到标称值。本发明能实现将两块DMD芯片像无缝拼接，大幅度提高DMD芯片的分辨率。
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公开(公告)号：CN105005212B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510540537.1
申请日：2015-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 一种应用于半实物仿真实验中帧同步的实现方法。本发明属于半实物仿真实验的技术领域。它的方法步骤一：将目标模拟器中视频信号处理芯片的帧同步信号、目标模拟器电路电源+Vpp和目标模拟器电路地都飞线引出；二：将视频信号处理芯片的帧同步信号通过电阻R1输入到运算放大器A1的反向输入端内，同时帧同步信号通过电阻R1、电阻Rf输入到光耦A2中的发光二极管的正极端内，光耦A2中的光敏三极管的发射极通过电阻R3接地；三：将光耦A2中的光敏三极管的发射极端输出的触发信号输入到CCD相机的曝光拍照触发输入端内。本发明能有效的完成仿真实验中帧同步的难题，使得目标模拟器与目标接收装置达到精确的帧同步效果，使得仿真实验可以顺利的进行。
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