公开(公告)号：CN110729379B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910982886.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 ,  甘阳 ,  申健 ,  陈远东 ,  汪郑扬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻，生成微米级尺寸陷光结构；再放入AgNO3与HF混合溶液中进行银纳米粒子的自组装沉积；然后采用HF与H2O2混合溶液进行Ag金属催化辅助的化学蚀刻，完成制备。本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。

公开(公告)号：CN110729379A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910982886.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 ,  甘阳 ,  申健 ,  陈远东 ,  汪郑扬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻，生成微米级尺寸陷光结构；再放入AgNO3与HF混合溶液中进行银纳米粒子的自组装沉积；然后采用HF与H2O2混合溶液进行Ag金属催化辅助的化学蚀刻，完成制备。本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。