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公开(公告)号：CN106498254A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611048577.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种V-Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法，涉及一种氢分离合金及其加工方法。本发明是为了解决现有的钒基氢分离合金以切割铸锭获得分离膜的方法存在膜片最小厚度偏大和原材料浪费的问题。本发明所述的一种V-Cu系偏晶型氢分离合金，其特征在于，所述氢分离合金的包括V、Cu，以及能够与V形成固溶体的金属溶质元素；氢分离合金的显微组织结构上，V为体心立方的钒，Cu为面心立方的铜；所述V的原子百分比为56.5％-90％，所述Cu的原子百分比为10％-40％，所述的能够与V形成固溶体的金属溶质元素的原子百分比为0％-9％。本发明适用于氢分离领域。
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公开(公告)号：CN106644872B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201610825418.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 一种氢分离合金临界氢脆的表征方法，涉及氢分离合金渗氢性能研究领域，具体涉及一种氢分离合金临界氢脆的表征方法。本发明为了解决目前还没有一种氢分离合金临界氢脆的表征方法。本发明首先在真空状态下对氢分离合金进行加热，然后在氢分离合金两侧通入氢气；保持氢分离合金两侧具有一定的压差，将所述氢分离合金在恒定的降温速率下逐渐冷却，直至发生氢脆或降到20℃～25℃；记录该过程的渗氢流量、时间和温度；根据降温过程的温度、时间、渗氢流量，并结合压力得到氢分离合金在特定压力下渗氢流量与温度的关系曲线，通过渗氢流量与温度的关系曲线对氢分离合金临界氢脆进行表征。本发明适用于氢分离合金渗氢性能研究领域。
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公开(公告)号：CN106644872A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610825418.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 一种氢分离合金临界氢脆的表征方法，涉及氢分离合金渗氢性能研究领域，具体涉及一种氢分离合金临界氢脆的表征方法。本发明为了解决目前还没有一种氢分离合金临界氢脆的表征方法。本发明首先在真空状态下对氢分离合金进行加热，然后在氢分离合金两侧通入氢气；保持氢分离合金两侧具有一定的压差，将所述氢分离合金在恒定的降温速率下逐渐冷却，直至发生氢脆或降到20℃～25℃；记录该过程的渗氢流量、时间和温度；根据降温过程的温度、时间、渗氢流量，并结合压力得到氢分离合金在特定压力下渗氢流量与温度的关系曲线，通过渗氢流量与温度的关系曲线对氢分离合金临界氢脆进行表征。本发明适用于氢分离合金渗氢性能研究领域。
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公开(公告)号：CN106498254B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201611048577.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法，涉及一种氢分离合金及其加工方法。本发明是为了解决现有的钒基氢分离合金以切割铸锭获得分离膜的方法存在膜片最小厚度偏大和原材料浪费的问题。本发明所述的一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金，其特征在于，所述氢分离合金的包括V、Cu，以及能够与V形成固溶体的金属溶质元素；氢分离合金的显微组织结构上，V为体心立方的钒，Cu为面心立方的铜；所述V的原子百分比为56.5％‑90％，所述Cu的原子百分比为10％‑40％，所述的能够与V形成固溶体的金属溶质元素的原子百分比为0％‑9％。本发明适用于氢分离领域。
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