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公开(公告)号：CN106498254B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201611048577.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法，涉及一种氢分离合金及其加工方法。本发明是为了解决现有的钒基氢分离合金以切割铸锭获得分离膜的方法存在膜片最小厚度偏大和原材料浪费的问题。本发明所述的一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金，其特征在于，所述氢分离合金的包括V、Cu，以及能够与V形成固溶体的金属溶质元素；氢分离合金的显微组织结构上，V为体心立方的钒，Cu为面心立方的铜；所述V的原子百分比为56.5％‑90％，所述Cu的原子百分比为10％‑40％，所述的能够与V形成固溶体的金属溶质元素的原子百分比为0％‑9％。本发明适用于氢分离领域。
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公开(公告)号：CN102071455B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010589296.7
申请日：2010-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于多晶硅定向凝固的水冷装置。一种水冷装置，具体涉及一种用于多晶硅定向凝固的水冷装置。本发明为了解决在定向凝固多晶硅时，现有装置预热不佳、轴向传热不好，传热速率不均匀而造成硅锭断裂的问题。本发明包括石墨预热器和两根水管，还包括水冷底座主体，所述水冷底座主体的上端面中部开有连接凹槽，所述水冷底座主体的下部开有方框状水循环通道，且方框状水循环通道位于连接凹槽的下方，两根水管并排设置在水冷底座主体的下端面上，且每根水管均与方框状水循环通道连通，所述石墨预热器的底部插装在连接凹槽内，石墨预热器的底部与连接凹槽通过螺纹连接。本发明安装在定向凝固装置内，用于定向凝固多晶硅。
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公开(公告)号：CN102021645B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010609932.8
申请日：2010-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法，它涉及一种多晶硅锭生产方法，以解决现有多晶硅锭的制备主要是在陶瓷或石墨套筒中进行，套筒内壁对多晶硅产生污染，导致多晶硅锭的纯度低的问题。方法：一、先漏入石墨底座上25g颗粒硅；二、抽真空；三、向真空室充入氩气；四、利用感应线圈使冷坩埚内的颗粒硅熔化；五、向冷坩埚内加入颗粒硅，形成颗粒硅熔体驼峰后，停止步进电机，保温8min；六、驱动拉杆向下运动，启动步进电机，使石墨管中的颗粒硅向冷坩埚内加料，冷却器为熔化的颗粒硅提供强冷，使熔化的颗粒硅形成具有定向凝固组织的柱状晶；七、将柱状晶硅锭的多晶层加工去除后即为具有定向凝固组织多晶硅锭。本发明用于制备多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN102019401B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010615723.4
申请日：2010-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种小型钛合金或钛铝合金复杂铸件的铸造成形方法，它涉及钛合金或钛铝合金铸件的铸造方法。本发明要解决现有的钛合金构件的重力铸造难于使其顺利充型、离心铸造方法工艺复杂、材料利用率低及金属型底漏式真空吸铸方法的不能铸造成形形状复杂的薄壁零件的技术问题。本方法：一、制备透气型壳；二、制备底漏式真空吸铸容器；三、将型壳固定在容器中，再将容器固定在熔炼炉的吸铸室内；四、将钛合金或钛铝合金原料电弧熔炼得到纽扣锭；五、将纽扣锭翻转到吸铸坩埚熔炼，得到过热熔体；六、吸铸充型，降温后得到铸件。该方法的成品率≥90％，为一种简单的近净成形方法，可用于制备钛及钛铝合金叶片、涡轮、工艺品等小型复杂铸件。
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公开(公告)号：CN102108548A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010609762.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于连续熔化与组织控制多晶硅的方形电磁冷坩埚，它涉及一种方形电磁冷坩埚。本发明为了解决现有电磁冷坩埚由于内腔尺寸较小，导致坩埚损耗过大，新形成的硅锭容易卡在坩埚腔内，连续熔化过程容易终止，且电磁力过于集中，组织控制效果不好的问题。本发明包括坩埚主体、进水管、出水管、若干个细水管和感应线圈，坩埚主体由上半体和下半体组成，感应线圈套在上半体上，坩埚主体的横截面为方环状的空腔体，上半体分割成十六个截面为花瓣状的柱体，下半体的底面上与截面为花瓣状的柱体的通孔对应位置开有纵向盲孔，每个盲孔与出水管连通。本发明用于连续熔化与组织控制多晶硅颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102021645A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010609932.8
申请日：2010-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法，它涉及一种多晶硅锭生产方法，以解决现有多晶硅锭的制备主要是在陶瓷或石墨套筒中进行，套筒内壁对多晶硅产生污染，导致多晶硅锭的纯度低的问题。方法：一、先漏入石墨底座上25g颗粒硅；二、抽真空；三、向真空室充入氩气；四、利用感应线圈使冷坩埚内的颗粒硅熔化；五、向冷坩埚内加入颗粒硅，形成颗粒硅熔体驼峰后，停止步进电机，保温8min；六、驱动拉杆向下运动，启动步进电机，使石墨管中的颗粒硅向冷坩埚内加料，冷却器为熔化的颗粒硅提供强冷，使熔化的颗粒硅形成具有定向凝固组织的柱状晶；七、将柱状晶硅锭的多晶层加工去除后即为具有定向凝固组织多晶硅锭。本发明用于制备多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN106498254A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611048577.5
申请日：2016-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种V-Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法，涉及一种氢分离合金及其加工方法。本发明是为了解决现有的钒基氢分离合金以切割铸锭获得分离膜的方法存在膜片最小厚度偏大和原材料浪费的问题。本发明所述的一种V-Cu系偏晶型氢分离合金，其特征在于，所述氢分离合金的包括V、Cu，以及能够与V形成固溶体的金属溶质元素；氢分离合金的显微组织结构上，V为体心立方的钒，Cu为面心立方的铜；所述V的原子百分比为56.5％-90％，所述Cu的原子百分比为10％-40％，所述的能够与V形成固溶体的金属溶质元素的原子百分比为0％-9％。本发明适用于氢分离领域。
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公开(公告)号：CN104259446A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410508694.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22D27/08
CPC classification number: B22D27/08
Abstract: 一种无污染高效细化钛铝合金方法，本发明涉及一种无污染细化钛铝合金的方法。本发明是要解决传统冶金法钛铝合金铸造后所得组织粗大，且存在非常严重的偏析和缺陷，室温塑性非常差、脆性非常大，并且难以成型的问题。它按以下步骤实现：一、物料放置在钛铝合金熔体熔炼装置的棒料层之中，置于线圈的最中间；二、将于感应线圈与电极相连；三、将超声器通过连接杆固定在上定位装置上；四、通过定位装置将超声器工具头与模壳顶面相接触；五、开启真空泵；六、感应线圈施加功率；七、卸载功率时，利用超声波发生装置加入超声波，超声处理时间为0～90s；八、取出并打碎模壳，获得细化的钛铝棒。本发明应用于超声波细化钛铝合金领域。
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公开(公告)号：CN104209483A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410508712.4
申请日：2014-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22D11/049 , B22D11/10
Abstract: 一种高效率电热转换的熔化与电磁约束成形系统，本发明涉及一种熔化与电磁约束成形系统。本发明为解决现有连续熔化与电磁约束系统的内腔尺寸较小，感应器与坩埚匹配不合理导致坩埚损耗过大，高铌钛铝合金不易被熔化，或熔化后的高铌钛铝合金液过热度不高，且电磁力不均匀，组织控制效果不好的问题。它包括：包括坩埚主体、进水管、出水管、细水管，感应线圈和导磁体，所述坩埚主体由上半体和下半体组成，所述上半体与下半体由一个整体铜块通过线切割和钻孔加工而成，所述进水管通过细水管与下半体连通，所述出水管通过细水管与下半体连通，所述感应线圈套在上半体上，导磁体围绕在感应线圈外。本发明应用于电热转换领域。
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公开(公告)号：CN104195635A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410508741.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种籽晶法制备大宽度柱状晶硅锭的方法，本发明涉及一种柱状晶硅锭的制备方法。本发明解决目前电磁连铸技术制备的硅锭的柱状晶宽度小、晶界的面积大，进而影响光电转换率的提高。步骤一、将料斗装满颗粒硅，将柱状晶的籽晶块固定在石墨底座上；步骤二、利用真空泵将真空室抽真空；步骤三、向真空室充入300～400Pa的氩气；步骤四、感应线圈通入单相交流电；步骤五、启动步进电机使颗粒硅连续不断的向冷坩埚内加入；步骤六、启动位移电机驱动拉杆，同时启动步进电机；步骤七、柱状晶硅锭的外层有1mm～2mm的多晶层，外层内部为平行于拉杆方向的柱状晶，将多晶层加工去除后即为具有定向凝固多晶硅锭。本发明应用于绿色能源制造业领域。
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