公开(公告)号：CN113589207B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202110930753.2

申请日：2021-08-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 丁丁 ,  由佳欣 ,  周成龙 ,  陈彦冰 ,  蒲永亮 ,  柴钰鹏

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，沿径向方向充磁，测量上表面方向上截面磁通作为参考1，测量径向方向上截面磁通作为可获取数据3，测量上表面不同位置磁强作为参考2；将参考1和2导入数据库A，将可获取数据3导入数据库B；对于某装配到电器元件当中的扇形永磁体，测量上表面截面磁通和表面磁强，作为实测数据；将实测数据与数据库A进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量扇形永磁体截面磁通提供了可行方案。

公开(公告)号：CN113589207A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110930753.2

申请日：2021-08-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 丁丁 ,  由佳欣 ,  周成龙 ,  陈彦冰 ,  蒲永亮 ,  柴钰鹏

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，沿径向方向充磁，测量上表面方向上截面磁通作为参考1，测量径向方向上截面磁通作为可获取数据3，测量上表面不同位置磁强作为参考2；将参考1和2导入数据库A，将可获取数据3导入数据库B；对于某装配到电器元件当中的扇形永磁体，测量上表面截面磁通和表面磁强，作为实测数据；将实测数据与数据库A进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量扇形永磁体截面磁通提供了可行方案。