Patent search ap:("哈尔滨工业大学") AND inv:"杨高强" Page 1

1.

发明公开
稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜的低温光辐照制备方法无效

公开(公告)号：CN101269957A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810064497.8

申请日：2008-05-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王文 , 肖立华 , 杨高强 , 孟庆昌 , 柯华 , 贾德昌 , 周玉

IPC: C04B35/475 , C04B35/622

Abstract: 稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜的低温光辐照制备方法，它涉及稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备的钛酸铋铁电薄膜的抗疲劳特性差、剩余极化值小、储存的可靠性低以及在晶化过程中晶化温度过高等问题。该制备方法由制备稀土掺杂钛酸铋前驱体溶胶和溶胶制模两部分组成。本方法制备出来的铁电薄膜具有优异的抗疲劳特性、较大的极化强度、较高的储存可靠性和较低的晶化温度，本发明工艺简单、设备简单、制备周期短及所用原材料价格低廉、市场上即可购得、成本低。

Patent Agency Ranking