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公开(公告)号：CN103969263A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410244645.X
申请日：2014-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 基于高频光电导衰减法的少子寿命测试仪，适用于高校等科研单位和相关中小型公司测试硅片少子寿命的仪器，本发明为解决国外少子寿命测试仪对于国内的小型实验室和半导体厂商而言，过于昂贵的问题。本发明包括高频信号发生电路、样品台、光源同步控制电路、峰值检波电路、仪表放大电路、高速ADC采集模块和PC机；样品台上放置待测硅片，光源同步控制电路输出的光束照射在待测硅片上，样品台的一个极板连接高频信号发生电路的高频信号输出端，样品台的另一个极板连接峰值检波电路的输入端，峰值检波电路的输出端连接仪表放大电路的输入端，仪表放大电路的输出端与高速ADC采集模块的输入端，高速ADC采集模块的输出端连接PC机的输入端。
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