一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法

    公开(公告)号:CN116810162A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310792222.0

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法,涉及一种光子芯片及其制造方法。为了解决现有的光子芯片的制备工艺复杂的问题。本发明硫系玻璃光子芯片由衬底、硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成,或由硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成;本发明利用激光器发射激光,激光通过准直系统和聚焦透镜后照射在硫系玻璃表面,硫系玻璃吸收激光的区域产生光致效应使得硫系玻璃吸收激光的区域的折射率发生变化,实现曝光,生成具有一定深度的图形,满足波导结构光子芯片加工性能需求。本发明硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法具有制备方法简单、低成本、高效率、制备精度高的优势。

    一种基于双4f相位相干成像技术的非线性折射光谱的测量装置和测量方法

    公开(公告)号:CN116223442A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310039303.3

    申请日:2023-01-12

    Abstract: 一种基于双4f相位相干成像技术的非线性折射光谱的测量装置和测量方法,它涉及非线性光子学材料和非线性光学信息处理领域,本发明采用相位型空间光调制器取代传统的4f相位相干成像系统中的相位物体,搭建双4f相位相干成像系统,配合波长可调谐的激光系统,实现光学材料非线性折射光谱的测量。本发明使用相位型空间光精确调控不同激发波长下,入射光中心位置光斑与周围光斑的相位差,弥补了相位物体在不同波长下中心位置光斑与周围光斑相位差发生变化的缺点。通过波长可调谐的飞秒激光器结合可调谐相位差的“相位物体”实现多级波段的非线性折射光谱的测量。

Patent Agency Ranking