公开(公告)号：CN116810162A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310792222.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 宋瑛林 ,  周见红 ,  张学如 ,  石光 ,  王玉晓 ,  杨崑

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 一种硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法，涉及一种光子芯片及其制造方法。为了解决现有的光子芯片的制备工艺复杂的问题。本发明硫系玻璃光子芯片由衬底、硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成，或由硫系玻璃和硫系玻璃表面的图形构成；本发明利用激光器发射激光，激光通过准直系统和聚焦透镜后照射在硫系玻璃表面，硫系玻璃吸收激光的区域产生光致效应使得硫系玻璃吸收激光的区域的折射率发生变化，实现曝光，生成具有一定深度的图形，满足波导结构光子芯片加工性能需求。本发明硫系玻璃光子芯片及其直接曝光制造方法具有制备方法简单、低成本、高效率、制备精度高的优势。