公开(公告)号：CN102565461B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210049979.2

申请日：2012-02-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘兆庆 ,  乔立岩 ,  张毅刚 ,  杜威达 ,  陈长春 ,  彭喜元

IPC: G01R1/00

Abstract: 矩阵开关模块中继电器开/关次数实时记录装置及采用该装置实现开/关次数记录的方法，本发明涉及矩阵开关模块中继电器开/关次数实时记录装置及采用该装置实现开/关次数记录的方法。它是为了解决随着使用时间的增加继电器损坏的概率急剧上升和矩阵开关中继电器的电气寿命是有限的问题。本发明包括矩阵开关切换命令缓冲单元、矩阵开关切换命令译码单元、E2PROM读写控制单元、计数缓冲单元、数据校验单元和串行E2PROM存储单元，所述的矩阵开关切换命令缓冲单元为先入先出存储器。通过对开关切换命令的解析，译出进行开/关动作的继电器编号，并将该继电器开/关次数存入串行E2PROM存储单元中。本发明适用于自动测试领域。

公开(公告)号：CN102664622A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210050004.1

申请日：2012-02-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘兆庆 ,  乔立岩 ,  张毅刚 ,  杜威达 ,  陈长春 ,  彭喜元

IPC: H03K19/177 ,  G01R1/00

Abstract: 支持四种工作模式的矩阵开关的控制系统及方法，涉及一种矩阵开关的控制系统，为了解决现有开关模块中不能实现精确时间定时切换信号和不同开关模块之间不能同步切换信号的问题。命令打包单元用来对总线接口数据打包成开关切换命令码，缓冲区用来存储连续开关切换命令，寄存器组用来设置开关切换命令控制单元工作模式和实时监控开关切换命令缓冲区的状态；开关切换命令控制单元控制开关切换命令执行单元执行命令；通过总线接口输入的工作模式信息，可实现立即运行、命令触发、硬线单次触发、硬线连续触发4种开关切换模式。它用于控制矩阵开关。

公开(公告)号：CN103150129B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201310112830.9

申请日：2013-04-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘兆庆 ,  乔立岩 ,  黄敏 ,  朱雨 ,  杜威达 ,  彭喜元

IPC: G06F3/06

Abstract: PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法，本发明具体涉及PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法。它为了解决高速数据流盘对I/O速率要求很高，无法最大限度提高Nand Flash阵列的存取速度，Nand Flash存取速率与PXI Express高速接口速率不匹配的问题。该方法为：采用三级加速编程的方式对Nand Flash编程，在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作，使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作；从4片Nand Flash芯片中读取数据的过程，实现数据读取的流水线加速。本发明适用于测试领域。

公开(公告)号：CN102565461A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210049979.2

申请日：2012-02-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘兆庆 ,  乔立岩 ,  张毅刚 ,  杜威达 ,  陈长春 ,  彭喜元

IPC: G01R1/00

Abstract: 矩阵开关模块中继电器开/关次数实时记录装置及采用该装置实现开/关次数记录的方法，本发明涉及矩阵开关模块中继电器开/关次数实时记录装置及采用该装置实现开/关次数记录的方法。它是为了解决随着使用时间的增加继电器损坏的概率急剧上升和矩阵开关中继电器的电气寿命是有限的问题。本发明包括矩阵开关切换命令缓冲单元、矩阵开关切换命令译码单元、E2PROM读写控制单元、计数缓冲单元、数据校验单元和串行E2PROM存储单元，所述的矩阵开关切换命令缓冲单元为先入先出存储器。通过对开关切换命令的解析，译出进行开/关动作的继电器编号，并将该继电器开/关次数存入串行E2PROM存储单元中。本发明适用于自动测试领域。

公开(公告)号：CN103150129A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310112830.9

申请日：2013-04-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘兆庆 ,  乔立岩 ,  黄敏 ,  朱雨 ,  杜威达 ,  彭喜元

IPC: G06F3/06

Abstract: PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法，本发明具体涉及PXIe接口Nand Flash数据流盘存取加速方法。它为了解决高速数据流盘对I/O速率要求很高，无法最大限度提高Nand Flash阵列的存取速度，Nand Flash存取速率与PXI Express高速接口速率不匹配的问题。该方法为：采用三级加速编程的方式对Nand Flash编程，在每个最小控制单元的编程序列中加入一级预编程操作，使得每个最小控制单元的第n+1次编程操作都能够滞后于第n次编程操作；从4片Nand Flash芯片中读取数据的过程，实现数据读取的流水线加速。本发明适用于测试领域。