公开(公告)号：CN108520832A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810280362.9

申请日：2018-04-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴金珠 ,  冯雅秀 ,  杜立新 ,  朱善旭

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/36

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36

Abstract: SiQDs-MoS2/rGO复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及二硫化钼石墨烯复合材料及其制备方法和应用。本发明是要解决现有的纯MoS2作为电极材料时电容量低的技术问题。本发明的SiQDs-MoS2/rGO复合材料，是以还原氧化石墨烯为网状支撑体，以硅量子点复合二硫化钼的纳米花球为分散材料的复合体，纳米花球嵌在还原氧化石墨烯的片层间。制法：一、硅量子点的合成；二、制备氧化石墨烯分散液；三、SiQDs-MoS2/rGO复合材料的制备。在0.5A/g的电流密度下，比电容达到924.7F/g，当电流密度升高到10A/g时，比电容仍然能够保持512.7F/g。可用作于超级电容器的电极材料。