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公开(公告)号:CN108520832A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810280362.9
申请日:2018-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: SiQDs-MoS2/rGO复合材料及其制备方法和应用,本发明涉及二硫化钼石墨烯复合材料及其制备方法和应用。本发明是要解决现有的纯MoS2作为电极材料时电容量低的技术问题。本发明的SiQDs-MoS2/rGO复合材料,是以还原氧化石墨烯为网状支撑体,以硅量子点复合二硫化钼的纳米花球为分散材料的复合体,纳米花球嵌在还原氧化石墨烯的片层间。制法:一、硅量子点的合成;二、制备氧化石墨烯分散液;三、SiQDs-MoS2/rGO复合材料的制备。在0.5A/g的电流密度下,比电容达到924.7F/g,当电流密度升高到10A/g时,比电容仍然能够保持512.7F/g。可用作于超级电容器的电极材料。
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公开(公告)号:CN108404938A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810304939.5
申请日:2018-04-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/08 , C25B11/06 , C25B1/04
CPC classification number: Y02E60/366 , B01J27/051 , B01J35/0033 , B01J35/08 , C25B1/04 , C25B11/0447
Abstract: 一种电催化析氢MoS2纳米花球催化剂及其制备方法,本发明涉及电催化析氢催化剂及其制备方法。本发明是要解决现有的电催化还原制氢催化剂成本高的技术问题。本发明的电催化析氢MoS2纳米花球催化剂是以硅量子点掺杂的层状MoS2构成的纳米花球状材料。制法:一、水热合成硅量子点;二、CS2和Si量子点调控合成球状MoS2。本发明的电催化析氢MoS2纳米花球催化剂在电流密度为10mA.cm-2时,过电势为212mV,同时塔菲尔斜率只有70mV·decade-1,并且在酸性溶液中稳定性良好,可用于电催化析氢中。
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公开(公告)号:CN106824230A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710140933.4
申请日:2017-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/051 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F101/30
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/051 , B01J35/004 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 量子点辅助合成二硫化钼的方法,它涉及一种光催化剂的制备方法。本发明是要解决挥发性有机化合物(VOC)不仅对环境造成了严重的破坏,而且使人类自己的健康乃至生命受到严重的威胁的技术问题。本方法如下:一、水热合成硅量子点;二、硅量子点辅助合成二硫化钼。本发明硅量子点和二硫化钼构建了一种新型的混合结构,其光谱吸收特性也有了极大的改变。全谱吸收达到了95%,能有效的吸收太阳能。本发明的硅量子点和二硫化钼混合结构对甲基橙有机染料的降解速率大大提高。在可见光下,相比现有的最快的降解时间150min,本发明硅量子点和二硫化钼结构的降解时间可达90min。本发明属于光催化剂的制备领域。
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