公开(公告)号：CN108822449A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810576808.2

申请日：2018-06-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘一志 ,  孙毅 ,  曾凡林

IPC: C08L27/16 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18

Abstract: 一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法和应用，本发明属于高相容性、抗原子氧冲刷、高疏水性和压电高分子杂化复合材料技术领域。本发明要解决现有聚偏氟乙烯易被原子氧腐蚀的技术问题。一种纳米杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜，按照质量百分比计，含有聚偏氟乙烯共聚物92～98％，多面低聚倍半硅氧烷2～8％。方法：一、将P(VDF-TrFE)和多面低聚倍半硅氧烷溶于有机溶剂中；二、制备预制液；三、引流倒入培养皿中，静置，干燥。本方法简单易行，既保持基质的压电性能，而且还能显著提高原基质材料的模量和硬度，增强疏水性能和抗原子氧侵蚀性能，使复合材料的性能得到了较全面的改善，从而能够更好地满足部分特殊领域的要求。

公开(公告)号：CN108666415B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810491166.6

申请日：2018-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘一志 ,  孙毅 ,  曾凡林

IPC: H01L41/27 ,  C08J7/04 ,  C08J5/18 ,  C09D123/08 ,  C09D7/61

Abstract: 一种聚合物基压电双晶片的制备方法及应用，它涉及一种压电双晶片的制备方法及应用。本发明的目的是要解决利用压电聚合物实现薄膜基体的驱动变形的问题。制备方法：一、制备非极化PVDF基薄膜；二、柔性电极的制备与涂覆得到PVDF薄膜电极；三、极化得到PVDF压电膜；四、组装得到聚合物基压电双晶片。一种聚合物基压电双晶片用于制造可驱动的材料。优点：以压电聚合物为基础，构造出压电双晶片形式，既实现了平整的薄膜控制变形的能力，又增大了平整的薄膜控制变形的效果。

公开(公告)号：CN108912561A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810792903.6

申请日：2018-07-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘一志 ,  孙毅 ,  曾凡林

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/04 ,  C08K3/22 ,  C08J5/18

Abstract: 一种改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜及其制备方法，本发明属于压电高分子杂化材料技术领域，它为了解决现有钛酸钡与聚偏氟乙烯共聚物的相容性较差的问题。本发明改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯共聚物复合膜是以聚偏氟乙烯共聚物为基质，其中含有质量百分含量为5％～20％的多巴胺改性钛酸钡；多巴胺改性钛酸钡的制备方法如下：先将多巴胺溶于水和DMF混合的有机溶剂中，然后加入钛酸钡，离心收集固相物，烘干后得到多巴胺改性钛酸钡。本发明通过多巴胺对钛酸钡进行表面改性，能够大幅提高改性钛酸钡和聚偏氟乙烯共聚物的相容性。同时所制备的复合膜材料具有良好的介电性能。

公开(公告)号：CN108666415A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810491166.6

申请日：2018-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘一志 ,  孙毅 ,  曾凡林

IPC: H01L41/27 ,  C08J7/04 ,  C08J5/18 ,  C09D123/08 ,  C09D7/61

Abstract: 一种聚合物基压电双晶片的制备方法及应用，它涉及一种压电双晶片的制备方法及应用。本发明的目的是要解决利用压电聚合物实现薄膜基体的驱动变形的问题。制备方法：一、制备非极化PVDF基薄膜；二、柔性电极的制备与涂覆得到PVDF薄膜电极；三、极化得到PVDF压电膜；四、组装得到聚合物基压电双晶片。一种聚合物基压电双晶片用于制造可驱动的材料。优点：以压电聚合物为基础，构造出压电双晶片形式，既实现了平整的薄膜控制变形的能力，又增大了平整的薄膜控制变形的效果。

公开(公告)号：CN103102622A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210570452.4

申请日：2012-12-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙毅 ,  刘一志 ,  曾凡林

IPC: C08L27/16 ,  C08L83/08 ,  C08K5/549 ,  C08J5/18 ,  H01L41/18

Abstract: 本发明涉及一种纳米杂化PVDF复合膜及其制备方法和应用。以质量百分比计，含有聚偏氟乙烯92-98%，多面低聚倍半硅氧烷2-8%。制备方法：将聚偏氟乙烯和多面低聚倍半硅氧烷溶于有机溶剂中，配制成混合均匀的溶液；将该溶液在避光、室温的条件下依次作搅拌、静置、超声脱泡处理，如此反复多次，以便形成更加均匀的溶液，待形成均匀的溶液后，放入真空搅拌机中，避光室温搅拌，消除气泡；将制备好的溶液倒入培养皿中，静置8-12分钟，烘干。本发明复合膜不仅能保证各物质成分的相容性和较高的β晶相，而且还能显著提高原基质聚偏氟乙烯的强度和硬度。其制备方法可控制材料的尺寸厚度、简单易行，使复合材料的性能得到了较全面的改善。