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公开(公告)号：CN111948267B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010844645.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，属于纳米电极制备技术领域。本发明是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极，在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；在树脂块上沉积一层金属薄膜，用树脂包埋，进行纳米切片，将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂封装，将未搭接导线的一端修块抛光，得到纳米点阵列电极。本发明避免了邻近电极的电容和扩散层重叠，且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列，有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。
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公开(公告)号：CN111948267A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010844645.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，属于纳米电极制备技术领域。本发明是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极，在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；在树脂块上沉积一层金属薄膜，用树脂包埋，进行纳米切片，将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂封装，将未搭接导线的一端修块抛光，得到纳米点阵列电极。本发明避免了邻近电极的电容和扩散层重叠，且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列，有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。
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公开(公告)号：CN113410386B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110674069.2
申请日：2021-06-17
Abstract: 一种制备具有M/M‑TCNQ肖特基结的纳米线的方法，涉及一种纳米线制备方法。在硅基底上浇注PDMS，固化后的PDMS加工模具孔洞，沉积一层M膜，模具孔洞内浇注树脂，固化剥离后用树脂包埋得到切片用样品进行纳米切片，转移至氧化硅基底上，采用光刻工艺将M纳米线两端涂覆光刻胶保护，暴露出中间部分，置于TCNQ乙腈溶液中充分反应得到M/M‑TCNQ/M纳米线，去除两端光刻胶后再将中间部分涂覆光刻胶保护，沉积一层惰性金属膜用作引出电极，剥离中间部分光刻胶及惰性金属膜，最后进行纳米线的表征。能够高效可控地将M/M‑TCNQ肖特基结构集成于一根纳米线中，制备方法简单、加工效率高、可重复性好。
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公开(公告)号：CN113410386A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110674069.2
申请日：2021-06-17
Abstract: 一种制备具有M/M‑TCNQ肖特基结的纳米线的方法，涉及一种纳米线制备方法。在硅基底上浇注PDMS，固化后的PDMS加工模具孔洞，沉积一层M膜，模具孔洞内浇注树脂，固化剥离后用树脂包埋得到切片用样品进行纳米切片，转移至氧化硅基底上，采用光刻工艺将M纳米线两端涂覆光刻胶保护，暴露出中间部分，置于TCNQ乙腈溶液中充分反应得到M/M‑TCNQ/M纳米线，去除两端光刻胶后再将中间部分涂覆光刻胶保护，沉积一层惰性金属膜用作引出电极，剥离中间部分光刻胶及惰性金属膜，最后进行纳米线的表征。能够高效可控地将M/M‑TCNQ肖特基结构集成于一根纳米线中，制备方法简单、加工效率高、可重复性好。
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