公开(公告)号：CN108949520B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201810935606.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 谢国俊 ,  徐媛媛 ,  任南琪 ,  刘冰峰 ,  邢德峰 ,  丁杰 ,  聂文博

IPC: C12M1/107 ,  C12M1/04 ,  C12M1/38 ,  C12M1/02 ,  C12M1/34 ,  C12N1/20 ,  C02F3/02 ,  C02F3/34 ,  C12R1/01

Abstract: 本发明公开了一种双膜曝气好氧甲烷氧化菌培养装置及培养方法，该方法将富含甲烷氧化菌的污泥和土壤悬液投放至反应装置腔体内后，通过无泡曝气的方式通入甲烷和氧气，实现好氧甲烷氧化菌的高密度低成本培养。本发明还提供了一种实现上述方法的双膜曝气好氧甲烷氧化菌培养装置。本发明基于甲烷和氧气在水中溶解度相对较低，不能向反应装置中微生物提供充足的碳源和能源，且甲烷在空气或氧气中混合后超过一定比例会有爆炸的危险的问题，通过双膜曝气的方式，突破气液传质阻力，提高溶液中甲烷和氧气的溶解量，能够高效低成本地提供底物，适用于高效培养好氧甲烷氧化菌，利用高密度好氧甲烷氧化菌培养物进行污水处理、中间产物生产和温室气体减排等。

公开(公告)号：CN108949520A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810935606.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 谢国俊 ,  徐媛媛 ,  任南琪 ,  刘冰峰 ,  邢德峰 ,  丁杰 ,  聂文博

IPC: C12M1/107 ,  C12M1/04 ,  C12M1/38 ,  C12M1/02 ,  C12M1/34 ,  C12N1/20 ,  C02F3/02 ,  C02F3/34 ,  C12R1/01

CPC classification number: C12M21/04 ,  C02F3/02 ,  C02F3/34 ,  C02F3/348 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/22 ,  C12M23/36 ,  C12M27/02 ,  C12M29/06 ,  C12M41/12 ,  C12M41/26 ,  C12M41/34 ,  C12N1/20

Abstract: 本发明公开了一种双膜曝气好氧甲烷氧化菌培养装置及培养方法，该方法将富含甲烷氧化菌的污泥和土壤悬液投放至反应装置腔体内后，通过无泡曝气的方式通入甲烷和氧气，实现好氧甲烷氧化菌的高密度低成本培养。本发明还提供了一种实现上述方法的双膜曝气好氧甲烷氧化菌培养装置。本发明基于甲烷和氧气在水中溶解度相对较低，不能向反应装置中微生物提供充足的碳源和能源，且甲烷在空气或氧气中混合后超过一定比例会有爆炸的危险的问题，通过双膜曝气的方式，突破气液传质阻力，提高溶液中甲烷和氧气的溶解量，能够高效低成本地提供底物，适用于高效培养好氧甲烷氧化菌，利用高密度好氧甲烷氧化菌培养物进行污水处理、中间产物生产和温室气体减排等。

公开(公告)号：CN208933359U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201821323775.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 谢国俊 ,  徐媛媛 ,  任南琪 ,  刘冰峰 ,  邢德峰 ,  丁杰 ,  聂文博

IPC: C12M1/107 ,  C12M1/04 ,  C12M1/38 ,  C12M1/02 ,  C12M1/34 ,  C02F3/02 ,  C02F3/34

Abstract: 本实用新型公开了一种双膜曝气好氧甲烷氧化菌培养装置，该装置的反应装置腔体外壁内夹有温控系统，反应装置腔体底部下方安装有搅拌系统，反应装置腔体侧壁安装有pH传感器；反应装置腔体内部上方安装有氧气曝气膜组件和甲烷曝气膜组件；反应装置腔体的内部顶部安装有溶解氧感应探头，反应装置腔体顶部安装有出气液封装置，反应装置腔体一侧中部安装有出水装置，另一侧下部安装有进水装置。本实用新型基于甲烷和氧气在水中溶解度较低，不能向反应装置中微生物提供充足碳源和能源，且甲烷在空气或氧气中混合后超过一定比例会有爆炸危险的问题，通过双膜曝气的方式，提高溶液中甲烷和氧气的溶解量，适用于高效培养好氧甲烷氧化菌。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利