一种基于MTJ器件的RS触发器

    公开(公告)号:CN113452354A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110821030.9

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 一种基于MTJ器件的RS触发器,涉及集成电路技术领域。本发明是为了解决传统的RS触发器中存在空翻且抗干扰能力差的问题。本发明所述的一种基于MTJ器件的RS触发器,包括:双路预充电敏感放大器、CMOS双轨电路、两对MTJ器件和两路写入电路,两路写入电路分别用于向两对MTJ器件写入信息,双路预充电敏感放大器通过CMOS双轨电路读取两对MTJ器件中存储的信息。本发明应用两对MTJ器件结合CMOS电路实现RS触发器功能。MTJ具有非易失性的特点,在读取阶段,MTJ里的存储内容不会发生变化。增加写入电路能够控制MTJ在写入模式和读取模式之间切换。

    一种应用MTJ的全减器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113470715A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110821028.1

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 一种应用MTJ的全减器,解决了现有在实现对全减器的MTJ随时写入时,在电源电压方向增加MOS管的方式导致写入功耗增大的问题,属于电子电路技术领域。本发明的一种应用MTJ的全减器,所述全减器包括1位全减器、两个写入电路和两个时钟逻辑控制电路;两个时钟逻辑控制电路输出的时钟信号同时发送两个写入电路;时钟逻辑控制电路均采用或非门电路实现;所述时钟逻辑控制电路的三个输入包括全减器工作时钟、正/反向写入的使能控制信号和正/反向写入的输入时钟信号。本发明通过加入控制门对写入电路的时钟进行控制,减少了写入电路时钟电源电压方向MOS管数量,达到降低写入功耗的目的。

    异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN103289701A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310272370.6

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法,它涉及上转换荧光纳米材料制备领域,本发明要解决现有生物标识纳米晶体发光强度较弱、穿透性差、寿命短的问题。本发明的方法为:采用了水热法和高温裂解法合成了核结构纳米晶体以及核壳结构纳米晶体,同时采用980nm激光对其进行激发,通过我们包覆之后的纳米晶体发光增强了数倍。本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度,具有强的上转换发射后,使发射光的颜色变化更加明显,进而使多色调节更具可操作性。

    一种基于MTJ器件的RS触发器

    公开(公告)号:CN113452354B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202110821030.9

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 一种基于MTJ器件的RS触发器,涉及集成电路技术领域。本发明是为了解决传统的RS触发器中存在空翻且抗干扰能力差的问题。本发明所述的一种基于MTJ器件的RS触发器,包括:双路预充电敏感放大器、CMOS双轨电路、两对MTJ器件和两路写入电路,两路写入电路分别用于向两对MTJ器件写入信息,双路预充电敏感放大器通过CMOS双轨电路读取两对MTJ器件中存储的信息。本发明应用两对MTJ器件结合CMOS电路实现RS触发器功能。MTJ具有非易失性的特点,在读取阶段,MTJ里的存储内容不会发生变化。增加写入电路能够控制MTJ在写入模式和读取模式之间切换。

    异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaGdF4纳米晶的制备方法

    公开(公告)号:CN103289701B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201310272370.6

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法,它涉及上转换荧光纳米材料制备领域,本发明要解决现有生物标识纳米晶体发光强度较弱、穿透性差、寿命短的问题。本发明的方法为:采用了水热法和高温裂解法合成了核结构纳米晶体以及核壳结构纳米晶体,同时采用980nm激光对其进行激发,通过我们包覆之后的纳米晶体发光增强了数倍。本发明的纳米晶大幅度增强上转换发射强度来提高设备灵敏度,具有强的上转换发射后,使发射光的颜色变化更加明显,进而使多色调节更具可操作性。

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