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公开(公告)号：CN105478944A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511009350.5
申请日：2015-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K35/30 , B23K1/19 , B23K35/40 , B23K103/04
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K35/302 , B23K35/40 , B23K2103/04
Abstract: 一种碳纳米管辅助钎焊硬质合金和钢的方法，本发明涉及钎焊硬质合金和钢的方法。本发明要解决现有真空钎焊硬质合金焊接残余应力大的问题。本发明的方法：首先金属粉末和六水硝酸镍颗粒混合，然后加入到无水乙醇中，在一定温度下，磁力搅拌至无水乙醇全部挥发，得到混合粉末，然后将混合粉末利用等离子体增强化学气相沉积法制备CNTs/金属混合粉末，将CNTs/金属混合粉末压片，并置于硬质合金和钢的待焊面之间，真空钎焊。本发明用于一种碳纳米管辅助钎焊硬质合金和钢的方法。
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公开(公告)号：CN105118690A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510582389.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯基电极材料的制备方法。本发明要解决现有对垂直生长石墨烯片润湿性进行改善，其中多种合成方法制备具有不同微观结构的石墨烯材料，涉及较多参数的调节，难以准确把握改善的程度及表面改性的机理，而化学修饰的方法涉及化学药品的选取，制备和化学反应，过程相对复杂的问题。方法：一、沉积；二、刻蚀；三、关闭射频电源和加热电源，以Ar为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。本发明用于缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN105081502B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510582390.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法，本发明涉及钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明要解决现有采用钎焊方法连接陶瓷基复合材料‑金属构件时，由于陶瓷基复合材料表面活性钎料的润湿性极差，难以实现复合构件的高质量连接的问题。方法：一、清洗；二、氮气处理陶瓷基复合材料；三、真空钎焊，即完成利用氮气处理及辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明用于氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN105081502A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510582390.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法，本发明涉及钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明要解决现有采用钎焊方法连接陶瓷基复合材料-金属构件时，由于陶瓷基复合材料表面活性钎料的润湿性极差，难以实现复合构件的高质量连接的问题。方法：一、清洗；二、氮气处理陶瓷基复合材料；三、真空钎焊，即完成利用氮气处理及辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。本发明用于氮气处理及其辅助钎焊陶瓷基复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN105070524A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510566764.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯材料作为超级电容器电极材料，其理论极限带来的比电容值的限制，从而限制超级电容器比电容值的大幅提高十分困难的问题。方法：一、制备沉积石墨烯的集电极材料；二、制备循环伏安后的集电极材料；三、清洗，即得到絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料。本发明用于絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106450154B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201611082749.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锂离子电池铝集流体表面原位生长石墨烯的制备方法，它涉及锂离子电池铝集流体的制备方法。本发明要解决现有锂离子电池铝集流体材料中存在的接触电阻较高，集流体难以实现与活性物质的紧密结合的问题。方法：一、铝集流体表面预处理；二、铝集流体表面三维结构化处理；三、铝集流体表面预制预置氧化石墨烯层；四、铝集流体表面刻蚀处理；五、铝集流体表面生长三维结构石墨烯，即完成锂离子电池铝集流体表面原位生长石墨烯的制备方法。本发明用于一种锂离子电池铝集流体表面原位生长石墨烯的制备方法。
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公开(公告)号：CN106532074A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611081805.9
申请日：2016-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01M4/9041 , B82Y30/00 , H01M4/9083
Abstract: 一种纳米钴/石墨烯核壳结构电催化剂的制备方法，它涉及电催化剂的制备方法。本发明要解决现有燃料电池贵金属催化剂成本高，稳定性差，寿命低的问题，在制备过程复杂、影响因素多和重复性差的问题。方法：一、制备泡沫镍基底；二、制备深红色澄清溶液；三、制备反应后的泡沫镍基底；四、制备片状氧化钴前驱体；五、将片状氧化钴前驱体置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，并在一定压强和氢气、氩气气氛下升温；六、通入碳源气体，在一定射频功率、压强和温度下沉积，得到纳米钴/石墨烯核壳结构电催化剂。本发明用于一种纳米钴/石墨烯核壳结构电催化剂的制备方法。
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公开(公告)号：CN105483641A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511009346.9
申请日：2015-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/56 , B22F1/02
CPC classification number: C23C16/26 , B22F1/02 , C23C16/513 , C23C16/56
Abstract: 一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法，本发明涉及铜基电接触材料的制备方法。本发明要解决现有银基电接触复合材料价格高昂，性价比低的问题，用性能良好的铜基复合材料代替金属银时，存在石墨烯在铜中的分散不均匀、缺陷的问题。本发明的方法：将铜粉置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，停止通入甲烷气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末。本发明用于一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN105374573A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510968462.7
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯表面改性技术或存在改善效果有限的问题，或存在掺杂元素与碳原子电负性相差较大，可以很容易地形成共价结合的问题。本发明的方法：采用甲烷，氩气和氢气制备石墨烯材料；将二苄基二硫醚溶液涂覆在石墨烯表面，放入石英管中，在氩气气氛中退火处理。本发明用于硫掺杂石墨烯基超级电容器电极材料的制备。
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公开(公告)号：CN105336505A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510874593.9
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯电极材料难以在保证循环稳定性的条件下大幅提高比电容值的问题。本发明的方法：首先在集电极材料表面制备石墨烯，再通过等离子体气相沉积设备，将氮气用射频电源离化，轰击石墨烯材料表面。本发明用于氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法。
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