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公开(公告)号：CN118090465A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410227264.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片测试辅助装置，更具体的说是一种电热力耦合场下的倒装芯片剪切性能测试装置，包括测试夹具前盖、基板和测试夹具后盖，所述基板上焊接有芯片，测试夹具后盖上设置有芯片槽位，基板通过芯片垫块安装在芯片槽位内，测试夹具前盖和测试夹具后盖通过螺钉Ⅱ固定连接，所述测试夹具前盖上固定连接有下连接螺纹柱，芯片上设置有剪切头，剪切头上固定连接有上连接螺纹柱；可以在电、热、力耦合场下对芯片进行测试的装置。
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公开(公告)号：CN118073241A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226928.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及多层倒装芯片堆叠与一体化键合工艺技术领域。更具体的说是一种多层倒装芯片高柔顺性堆叠与一体化键合装置及方法，本发明的目的是解决多层倒装芯片一体化键合过程中，由于堆叠压力使用不当引起的芯片碎裂或键合空洞以及键合过程中焊料结构刚度变化引起的系统动态冲击问题。通过多层芯片进行一体化键合，在制造三维封装多层芯片的过程中，只进行一次加热处理，能降低因反复高温导致的焊点裂纹现象，配合压电陶瓷驱动器和宏观位移台控制键合头，能够降低多层芯片键合过程中焊点突然融化导致的动态冲击，从而能避免由于高速运动过程中造成芯片受压，避免芯片破碎、偏移等问题，以及避免焊球破裂和塌陷。
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公开(公告)号：CN119905429A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510088048.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/603 , H01L21/607
Abstract: 本发明涉及多层芯片堆叠及键合领域，更具体的说是一种超声工艺辅助的多层芯片倒装堆叠及键合装置与工艺，步骤一：通过纵向位移台和横向位移台驱动真空堆叠吸头机构进行运动，使得真空堆叠吸头机构对芯片夹取堆叠放置在加热键合台上；步骤二：通过纵向位移台和横向位移台使得超声键合头机构运动到堆叠放置的芯片上，超声键合头机构的下方和待键合芯片缓慢接触后立刻停止；步骤三：启动加热键合台对堆叠芯片进行加热，达到指定温度值后，通过纵向位移台控制超声键合头机构施加40‑60MPa的键合预压力后，停止移动，然后启动超声键合头机构进行键合。
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公开(公告)号：CN118073241B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410226928.5
申请日：2024-02-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及多层倒装芯片堆叠与一体化键合工艺技术领域。更具体的说是一种多层倒装芯片高柔顺性堆叠与一体化键合装置及方法，本发明的目的是解决多层倒装芯片一体化键合过程中，由于堆叠压力使用不当引起的芯片碎裂或键合空洞以及键合过程中焊料结构刚度变化引起的系统动态冲击问题。通过多层芯片进行一体化键合，在制造三维封装多层芯片的过程中，只进行一次加热处理，能降低因反复高温导致的焊点裂纹现象，配合压电陶瓷驱动器和宏观位移台控制键合头，能够降低多层芯片键合过程中焊点突然融化导致的动态冲击，从而能避免由于高速运动过程中造成芯片受压，避免芯片破碎、偏移等问题，以及避免焊球破裂和塌陷。
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