公开(公告)号：CN101561407A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910072016.2

申请日：2009-05-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾铮 ,  姜利祥 ,  李涛 ,  刘向鹏

IPC: G01N27/12

Abstract: 锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，它涉及锇膜电阻线构成的电阻型原子氧传感器芯片的制造方法。本发明解决了现有工艺制备锇膜存在容易开裂、原子氧测量的准确性差的问题。本发明方法如下：一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后即在基片表面形成锇膜电阻线。本发明制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔，线宽小，厚度大，因此该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作。本发明的方法工艺简单、操作方便。

公开(公告)号：CN101561407B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910072016.2

申请日：2009-05-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾铮 ,  姜利祥 ,  李涛 ,  刘向鹏

IPC: G01N27/12

Abstract: 锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，它涉及锇膜电阻线构成的电阻型原子氧传感器芯片的制造方法。本发明解决了现有工艺制备锇膜存在容易开裂、原子氧测量的准确性差的问题。本发明方法如下：一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后即在基片表面形成锇膜电阻线。本发明制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔，线宽小，厚度大，因此该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作。本发明的方法工艺简单、操作方便。